一、聚合物/TiO_2分层光电导型器件的电荷传输特性（论文文献综述）
郭瑞琪[1]（2021）在《CuInSe2胶体量子点光电探测器的研究》文中研究说明CuInSe2胶体量子点是一种窄带隙P型半导体纳米晶,具有带隙可调节、消光系数高、响应光谱宽（300-1100 nm波长）和环境友好等优点,在光电探测领域表现出巨大的发展潜力。但是,CuInSe2胶体量子点表面的长链有机配体影响量子点薄膜电荷的传输,而且表面缺陷态密度高导致电荷非辐射复合严重,因此,CuInSe2胶体量子点光电探测器的性能偏低。本文围绕这些问题展开研究,采用配体交换、锰离子掺杂和双层探测器结构设计等方法分别提升量子点薄膜导电性、减少量子点缺陷态密度和改善可见光波段响应性能等,进而获得高性能、宽波段（紫外至近红外）的CuInSe2胶体量子点光电探测器。在研究过程中发现CuInSe2量子点的阻变特性,设计并制备了新型CuInSe2量子点忆阻型探测器,阐明了其内在的工作机理。主要研究结果如下:采用热注入化学合成方法获得宽光谱（波长300-1100 nm）响应的CuInSe2量子点。针对量子点表面长链油胺（OAm）配体不利于电荷传输的问题,通过引入了导电性质良好的短链巯基丙酸（MPA）配体。通过非原位配体交换的方式,将OAm-CuInSe2量子点转换成MPA-CuInSe2量子点,并制备了CuInSe2量子点近红外光电探测器。近红外光电探测器采用垂直的光伏结构,OAm-CuInSe2量子点和MPA-CuInSe2量子点分别作为探测器的吸光材料。研究结果表明,配体交换后的CuInSe2量子点具有良好的导电性能,制备的光电探测器载流子的传输能力和光电流的响应能力都明显提升。优化后的光电探测器在1000 nm处的探测度（D*）从3.6×109 Jones提升至7.5×1010 Jones;响应速度由0.15 s降低到0.04 s。为了解决量子点结晶性能差和缺陷态密度高等问题,在量子点合成过程中引入了过渡族金属离子锰离子（Mn2+）,获得锰掺杂CuInSe2（Mn-CuInSe2）量子点。随着Mn2+掺杂含量的增加,量子点表面的缺陷态明显减少,激子辐射复合寿命增加。这是因为Mn2+引入减少了缺陷态的电子捕获,而且引导激发态激子向长寿命Cux态迁移,从而提高了载流子的寿命。此外,Mn2+的掺杂还有效的调整了量子点的能带位置,增强了载流子向传输层迁移的驱动力。在近红外区域,优化后的Mn-CuInSe2量子点探测器展现出超过30 mA/W的响应度（R）和4.2×1012 Jones的D*。同时,Mn-CuInSe2量子点探测器的响应速度也从1.9 μs（CuInSe2量子点探测器）提升至0.76μs。相比于第三章的工作,器件的R提升将近15倍,D*提升将近两个数量级。提出一种新型的量子点/钙钛矿薄膜双活性层探测器设计思想,这种结构充分发挥CuInSe2量子点光谱响应范围宽和钙钛矿薄膜可见光范围光响应性能高的优点。研究结果显示,CuInSe2量子点促进钙钛矿薄膜形核,进而在量子点上层形成高质量的钙钛矿薄膜。这是因为量子点作为钙钛矿薄膜晶体生长的形核中心,促进形成致密的钙钛矿薄膜。除此之外,CuInSe2量子点良好的光吸收性能有助于活性层的电荷产生。在双层探测器中,CH3NH3PbI3（MAPbI3）钙钛矿薄膜主要提供可见光区的光响应,CuInSe2量子点则弥补钙钛矿薄膜在近红外区的光响应缺失。CuInSe2量子点层还可以作为电子阻挡层,有效地阻挡电子进入空穴传输层,减少载流子的复合进而提高载流子的有效分离。优化后的双活性层光电探测器展现出高的R。在可见光区域的R超过180 mA/W,在近红外区域（800-1100 nm）的R超过20 mA/W。D*在可见光区域超过7.0× 1012 Jones,在近红外区域超过7.7X 1011 Jones。在研究过程中,发现了 CuInSe2量子点表现出电流-电压曲线迟滞现象,产生该现象的原因在于其内在的忆阻性能。基于这一发现,我们制备了新型CuInSe2量子点忆阻器,并研究了忆阻性质产生的机理。CuInSe2量子点忆阻器的结构为FTO/CuInSe2量子点/Au电极。研究显示,忆阻器在连续电流-电压循环扫描过程中展现出良好的重现性和稳定性,在连续70个循环内仍然维持稳定的SET电压（1 V）和RESET电压（-0.8 V）,在1 V电压下的高低电阻比为5.7。同时,忆阻器还具有超过104s的读写记忆能力。通过导电原子力显微镜（C-AFM）测试和X射线光电子能谱（XPS）测试验证和证明了CuInSe2量子点忆阻器的记忆行为主要来源于铜离子的氧化还原反应和外加电场作用下的Cu离子迁移。除此之外,采用溶液法制备了 CuInSe2量子点柔性忆阻器,器件在100个连续扫描周期内可以维持稳定的对高低电阻的探测。未封装的柔性忆阻器还展现出良好的抗疲劳性能（600次弯曲）和读写记忆的能力（104 s）。
曲瑞[2]（2021）在《卤化物钙钛矿纳米晶的制备及光探测性能研究》文中研究表明光探测器应用于现代社会的诸多领域,比如可见光摄像机、移动设备、车载系统、军事应用和安全领域。目前,光探测器是通过硅或III-V族化合物半导体制成的光电二极管和光电晶体管实现的。新应用的快速发展对光探测器件提出新的要求,传统半导体面临器件密集性和灵敏度难以提高的瓶颈。近年来出现的无机卤化物钙钛矿CsPbX3（X=I,Br,Cl）纳米晶由于优异的光电性能备受研究人员关注。由于高的光吸收系数、高的迁移率(2290 cm2 V-1 s-1)、光谱在可见光范围（400-700 nm）连续可调,低温溶液制备,成本低于高温真空环境制备的传统半导体,CsPbX3纳米晶在可见光探测领域具有很好的应用前景。不过,目前相关的研究还处于起步阶段。要将钙钛矿纳米晶光探测器应用于实际中,空气环境中长期稳定性还需要改善,光探测性能需要通过材料设计和器件设计进一步提高。本文通过配体辅助再沉淀（LARP）方法在空气环境中制备CsPbBr3纳米晶并研究其可见光探测性能。通过不同原子位置的掺杂替换以及制备复合纳米材料来改善光探测器的基础性能（开关比、响应度、比探测率和响应时间）或长期稳定性,为之后开发能实际应用的钙钛矿纳米晶光探测器提供一点借鉴。主要研究结果如下:（1）CsPbBr3纳米晶的制备和生长机理研究。采用LARP法制备了立方体CsPbBr3纳米晶,晶粒的平均尺寸为18.8 nm,荧光量子产率为85%;然后,通过改变配体浓度比例、反应原料比例、前驱体供应量和反应温度等参数,研究CsPbBr3纳米晶的生长机理。结果表明:Pb2+与配体的配合对纳米晶的生长影响很大。高浓度配体导致高的配位数,高配位数使得纳米粒子表面有更全面的钝化,从而阻止纳米晶的生长。CsPbBr3单胞的定向附着主导着纳米晶的生长,单体定向附着先生成纳米片,纳米片继续生长成为纳米立方体。最后,通过在前驱体中加入不同的氢卤酸来调控CsPbBr3纳米晶的尺寸和形貌。当加入HBr和HCl时,CsPbBr3纳米晶由立方体变为量子点,随着酸浓度的增加,量子点尺寸减小,荧光峰随之蓝移;当加入HI时,CsPbBr3纳米晶由立方体变为纳米片。（2）基于CsPbBr3纳米晶制备CsPbBr3纳米晶薄膜光探测器,并通过膜厚控制和后续热处理优化光探测性能。在Au叉指电极上旋涂CsPbBr3纳米晶薄膜构建MSM型光探测器,响应度测试结果显示,CsPbBr3纳米晶光探测器在蓝光波段有较高光响应。接着,研究了不同活性层厚度对光探测器性能的影响。结果表明,两次旋涂工艺制备的247 nm厚的CsPbBr3纳米晶薄膜有优化的光探测性能。最后,研究了退火温度对CsPbBr3纳米晶薄膜光探测器性能的影响。结果显示,当退火温度为260°C时,CsPbBr3纳米晶光探测器在450 nm光照下的开关比为1474,响应度为7930 m AW-1,比探测率为2.39×1011Jones,响应时间为1/118 ms。（3）基于优化的CsPbBr3纳米晶光探测器,通过不同原子位置的掺杂改善长期稳定性和光探测性能。首先,采用LARP法制备了FAPb Br3量子点。通过添加HBr对量子点的尺寸进行调控,FAPb Br3量子点的平均直径从5.4 nm减小到2.3 nm,对应的荧光峰随之从531 nm蓝移至446 nm。然后,采用LARP法制备出混合阳离子CsxFA1-xPb Br3纳米晶。由于FA尺寸大于Cs,使得容许因子更接近1,CsxFA1-x Pb Br3纳米晶具有更高的稳定性,因此热退火过程中产生的非辐射复合中心较少。测试结果表明,在450 nm光照下,Cs0.84FA0.16Pb Br3纳米晶光探测器具有最优的光探测性能,开关比为3440,响应度为2.70×104 m AW-1,比探测率为6.74×1011Jones,响应时间为3/27ms。稳定性也得到提高,探测器在空气中放置两个月仍保有初始光电流的80%。最后,研究了Sb掺杂对CsPbBr3纳米晶结构和性能的影响。Sb掺杂使CsPbBr3纳米晶与Au的肖特基势垒提高,从而降低了CsPbBr3纳米晶光探测器的暗电流,这对比探测率的提高非常重要。测试结果表明,当Sb掺杂浓度为3%时,Sb-CsPbBr3纳米晶光探测器在450 nm光照下的开关比为48062,响应度为1.41×104 m AW-1,比探测率为1.82×1012Jones,响应时间为7/30 ms。（4）制备CsPbBr3/r GO复合材料,通过促进光生载流子的分离提高光探测性能。首先,通过电解法制备氧化石墨烯（GO）,然后通过Al对GO进行还原,制备了少数层、高质量的r GO。然后通过LARP法制备CsPbBr3/r GO复合材料。测试结果表明,CsPbBr3纳米片沿着r GO表面横向生长。CsPbBr3与r GO形成化学键合,Pb-6p和Br-4p轨道可以与石墨烯的碳原子中未杂化的2p轨道重叠,使得光生载流子可以在CsPbBr3与r GO界面更有效的传输,光生载流子的分离使得CsPbBr3/r GO复合材料光探测性能提高。测试结果显示,0.005 mg r GO添加量的CsPbBr3/r GO复合材料光探测器光探测性能最优,在450 nm光照下,其开关比为3745,响应度为2.95×104 m AW-1,比探测率为7.34×1011Jones,响应时间为1/29 ms。
徐睿良[3]（2020）在《基于TiO2的有机无机杂化紫外探测器的研究》文中研究指明紫外辐射是电磁辐射波谱中10 nm-400 nm范围内的电磁波。其来源除了日常的太阳光以外,还包括紫外线发射设备、火焰、特定的细胞等。因此紫外光电探测器在医学、军事、环境等众多领域中有着较为广泛的应用。随着科技的不断发展,紫外探测器的结构与用于制备探测器的半导体材料也得到了不断的丰富与更新。但在研究过程中,科研人员发现在紫外探测器的设计、制备中,存在这样的矛盾以及需求。从器件结构的角度讲,光电导型探测器具有较高的增益和响应度,但器件响应速度较慢、噪声高;光伏型探测器响应迅速、可有效抑制噪声,但光暗抑制比较低。从制备材料的角度讲,无机半导体材料具有良好的光电性能,但选择少、制备高质量的材料不易;有机半导体材料种类较多、制备简单,但光电性能相对较差。以上问题也导致紫外探测器的光电性能难以有所突破。随着研究的不断推进,各领域对紫外光电探测器性能的要求也在不断提高,这其中包括更快的响应速度、更高的光暗抑制比、甚至是更精确的探测范围等。基于以上,本论文想要实现的目标是,通过制备光电性能优良的半导体材料和选择能为探测器性能提供良好基础的器件结构,来实现响应度高、响应速度快的高性能紫外探测器的制备。因此,本论文围绕材料的制备、器件结构的选择等方面,证明了利用有机、无机半导体材料杂化制备异质结光伏型紫外探测器是一种合理、高效的提升器件探测性能的方法。此外,通过选择光电性能优良的掺杂材料,进一步优化了器件的光电性能。基于此,本论文主要展开了以下的研究工作:第二章中,首先设计并制备了TiO2薄膜光电导型紫外探测器。通过溶胶-凝胶法制备的TiO2薄膜均匀、平整,质量良好。通过合理的退火温度,使得TiO2具备锐钛矿型的晶体结构,适宜制备成紫外探测器。随后,通过光刻法和磁控溅射法制备的探测器,其光吸收仅在紫外波长范围内,无需外加滤光片;在7 V的工作偏压下,器件的上升下降时间为1.09 s和9.43 s;光生、暗电流密度的数值分别为1.08μA/mm2和10 nA/mm2,光暗抑制比可达约三个数量级,有较高的光增益。TiO2材料优良的光电性能为制备异质结光伏型紫外探测器奠定了基础。详细的制备过程与机理分析在第二章中给出。第三章中,在TiO2薄膜基础上,增加了一层有机半导体材料PVK的薄膜。两种材料构成了有机无机杂化的异质结,并以此为基础制备成PVK/TiO2光伏型紫外探测器。通过调整PVK薄膜的厚度,使得构成异质结的两种材料在光吸收过程中的比重发生变化。配合利用异质结与ITO衬底吸收峰的不同,进而得到了最优探测波长不同的两组器件。经过一系列不同厚度的对比实验,选择出了两组器件中厚度最优的薄膜。在厚度较薄的一组中,响应度的峰值出现在320 nm处,最优器件的暗电流密度为0.02μA/cm2、上升下降时间分别为28 ms和11 ms;厚度较厚的一组中,响应度的峰值出现在340 nm处,最优器件的暗电流密度为0.025μA/cm2。通过数据对比可发现,相较于光电导型的紫外探测器,光伏型探测器具有更低的暗电流和更短的响应恢复时间。这是由于异质结的结构优势,通过耗尽层的存在和能带的变化,有效抑制了暗电流和噪声,并且提高了器件的响应速度。第四章中,以第三章薄层PVK/TiO2紫外探测器中最优器件为基础,通过在PVK薄膜中掺杂CuInS2/ZnS量子点的方法提高光伏型探测器的光暗抑制比和响应速度。该种量子点具有较高的电导率,因此可弥补PVK有机材料在电导率上的劣势,使器件可以更有效的传输载流子;此外,该材料在紫外波长范围内有良好的光吸收,因此可以提高器件对光的利用;最后,由于量子点具有的量子尺寸效应和表面效应,可以使其吸引并限制电子,使TiO2一侧的耗尽层变厚,进而增强了其电场强度。增强的电场可以更有效的分离光生载流子,提升器件的性能。在掺杂后,改性器件的响应度提升约4.2倍,上升时间缩短为24 ms。第五章中,在第三章制备的厚层PVK/TiO2紫外探测器里,选取了性能最优的器件。并以此为基础,通过在其PVK层中掺杂PFTBT聚芴材料,来提升探测器的光电性能。由于此时用于制备厚层PVK的溶液较为黏稠,因此作为无机材料的量子点在PVK溶液中易产生团聚,影响器件性能。因此选择了在有机材料中分散性更好的PFTBT聚芴。该种材料可有效提高有机材料的电导率和光吸收,优化材料性能;此外,PFTBT的引入作为陷阱中心,将大幅度提高器件的材料的电导率,延长载流子的寿命,因此可使器件的光电性能有较为明显的提升。掺杂后,器件的响应度提升约3.7倍,上升时间缩短为22 ms。本论文将有机无机材料杂化,制备了异质结光伏型探测器。通过空间电荷区和势垒的引入,实现了器件暗电流的大幅度抑制和响应速度的显着提升。通过在有机材料薄膜层中引入量子点材料,利用量子尺寸效应和表面效应,吸引并束缚电子,进而加强了空间电场强度,提升了载流子的分离效率,实现了器件性能的优化。此外,通过掺杂PFTBT聚芴材料,利用陷阱效应,降低载流子的复合,显着延长了载流子的寿命,进一步提升了光伏型紫外探测器在响应度、响应速度等方面的性能。本论文为紫外探测器的材料选择、结构设计、及工作机理分析方面提供了有价值的参考
陈红云[4]（2020）在《新型PtSe2/TiO2肖特基结紫外光电探测器》文中认为光电探测器在军事和民用等各个领域都有广泛的应用,例如导弹制导、红外遥感、工业控制、光通信等。光电探测器按照工作波长范围可以分为:紫外光电探测器、可见光电探测器和红外光电探测器。其中,紫外光电探测器更具有应用的价值和潜力。二氧化钛（Ti O2）的禁带宽度为3.0e V,是制作紫外光电探测器的热点材料之一。另外,第10组贵金属过渡硫属化物（NTMD）由于其优异的特性引起了许多研究人员的关注。本文主要研究了基于Pt Se2/Ti O2纳米棒阵列肖特基结紫外光电探测器。本文通过水热法在FTO基底上生长Ti O2纳米棒阵列,该Ti O2纳米棒阵列具有很强的陷光效应。并通过直接硒化的方法制备了Pt Se2薄膜,之后用Na OH溶液将Pt Se2薄膜转移到Ti O2纳米棒阵列上,得到Pt Se2薄膜和Ti O2纳米棒阵列肖特基结的光电探测器。Pt Se2/Ti O2纳米棒阵列肖特基结器件在紫外光照下表现出明显的响应,但对白光毫无响应。通过对器件的电学测试发现,Pt Se2/Ti O2纳米棒阵列紫外探测器在365nm光源的照射下,具有优异的开关比5.5×104,响应度为57m A/W,比探测率为8.36×1011Jones。该器件的上升时间和下降时间分别为0.19s和0.44s。该紫外光电探测器还具有图像传感的功能。最后,该器件在空气中存放5周后仍能保持良好的性能,其稳定性很好。研究结果表明,Pt Se2/Ti O2纳米棒阵列肖特基结紫外探测器在未来光电子领域有巨大的应用潜力。
张景越[5]（2020）在《面向高光谱成像的钙钛矿/硫化铅量子点异质结光电探测器研究》文中研究说明近年来,高光谱成像技术凭借其对目标信息的强大获取能力,广泛应用于遥感探测、医疗诊断、食品及化学药品监测等领域。作为高光谱成像系统的核心元件,可对紫外-可见-红外宽光谱范围响应的高性能光电探测器极具研究意义,是目前光电探测领域的研究热点。以甲氨基铅卤化物（CH3NH3PbX3）为代表的有机-无机杂化钙钛矿材料作为一种新型光敏材料在光电领域有着超越传统半导体材料和有机材料的显着优势,有望实现高性能宽谱光电探测器。然而,钙钛矿材料较大的禁带宽度使得其光电探测范围主要集中在紫外-可见波段,限制了其在宽谱光电探测的应用。本文针对此应用需求,提出了可实现高效宽谱光电探测的钙钛矿/硫化铅量子点异质结结构,该结构可实现拓宽吸收光谱至近红外范围和提升光生载流子分离效率进而提升光电响应的双重作用,基于该异质结结构设计了横向结构光电导型及垂直结构光电二极管型两种光电探测器原型器件,并对器件进行了系统性的优化,进而探索适合于大规模阵列集成的器件设计,验证其作为高光谱成像中感光元件的应用潜力。（1）论文首先实现了光电导型钙钛矿/硫化铅量子点异质结宽谱光电探测器,探讨了异质结界面处的载流子产生、分离与输运机制,获取了影响其光电响应的关键结构与物理参数。通过对硫化铅量子点的表面配体进行优化设计,发现了硫氰根离子（SCN-）对光电导型CH3NH3Pb13/PbS异质结光电探测器性能具有显着增强作用,获得了高性能CH3NH3PbI3/PbS-SCN宽谱光电探测器,器件响应光谱范围覆盖365 nm-1550 nm,在365 nm光照下响应度为255 AW-1、探测率为4.9×1013Jones,在940 nm光照下响应度为1.6 AW-1、探测率为3.0×1011 Jones。进而,基于该器件结构,构筑了 10×10宽谱成像阵列,可在紫外、可见、近红外波段范围内实现成像显示。（2）为进一步提升器件响应速度、工作电压等品质因数,以钙钛矿/硫化铅量子点异质结为宽谱光敏层构筑了 ITO/ZnO/PbS-EDT/CH3NH3PbI3/Spiro-OMeTAD/MoO3/Ag结构光电二极管。探讨了光电二极管中光生载流子产生、分离与传输机制,获取了影响二极管光电探测性能的关键参数。通过对量子点薄膜层数、钙钛矿薄膜制备工艺、功能层参数等方面的优化设计,获得了高响应速度（响应时间为14μs,恢复时间为35μs）、低工作电压（可在零偏压下工作）的宽谱光电探测器。当外加电压为-0.5V时,在520nm光照下器件响应度为416 mAW-1,探测率为1.44×1012 Jones,940 nm光照下响应度为39 mAW-1,探测率为1.36×1011 Jones。（3）基于钙钛矿/硫化铅量子点异质结光电二极管线阵,论文提出了板级线阵扫描宽谱成像系统的总体框架,并基于采用高精密运算放大器的电阻反馈跨阻放大电路、16位精度采样量化电路、微处理器主控电路等实现了扫描成像系统电路,实现了基于钙钛矿/硫化铅量子点异质结光电二极管的线阵成像系统。上述工作提出并实现了钙钛矿/硫化铅量子点异质结宽谱光电探测器,可在紫外-可见-近红外宽谱范围内实现高性能光电探测,获得了高性能宽光谱探测的内在机制与实现方法,为未来实现应用于高光谱成像的高性能低成本宽谱成像芯片提供了可行思路。同时,设计了与器件匹配的线阵扫描成像系统,可为有机、量子点等新型光电探测器的成像应用提供通用型技术方案参考。
孙林[6]（2019）在《溶液法制备过渡金属氧化物和（硫）碘化物及其光电探测器研究》文中指出光电探测器是一种可以将光信号转换为电信号的设备,在成像技术、环境监测和光通信等领域都扮演着十分重要的角色。商业使用的光电探测器多数的设计是基于晶体硅和硅-锗异质结或III-V族半导体合金体相材料。然而,这类材料具有易碎、价格昂贵以及苛刻的制备工艺等诸多缺点,难以满足下一代光电子器件在低功耗、轻量化设计、易于携带、机械柔性、可扩展性以及低制备成本等方面的需求。以卤化物钙钛矿,无机纳米晶体,有机半导体和新兴二维材料为代表的新型低维半导体材料拥有独特物理电子性质。因而基于低维材料构筑的快速响应、灵敏度高和低功耗的宽光谱光电探测器有望成为通讯、遥感、监测和成像等技术的至关重要元器件,所以受到国内外高度研究关注,成为信息等领域研究的前沿热点问题之一。目前普遍研究的低维材料光探测器探测范围从深紫外到近红外,器件的单一技术指标非常优异。但评价低维材料光探测器性能优劣不能仅关注一个技术指标,需要综合考虑各个技术指标间的平衡关系。此外如何发展廉价、简易材料制备工艺以及构筑基于低维材料大面积光电探测器还具有挑战性,所以这方面的研究具有重要科学和应用价值。而溶液法合成具有低成本、规模化的特点,其合成通常涉及水热/溶剂热反应,基于溶液的自组装,模板辅助生长和随后的热处理过程等。受益于低成本和简单的制造工艺,已经探索了各种可溶液处理的半导体材料来构筑光电探测器。因此,从基础研究和技术应用的角度,本学位论文,发展了简易溶液法,成功地制备了基于过渡金属氧化物、（硫）碘化物的低维材料,并构筑基于此类材料的光电探测器,系统研究它们的性能,探索探测器各技术参数的平衡关系。结合探索新型材料和器件架构,具体地我们从材料合成、结构、维度、器件探测机制、光谱响应波段等方面着手,展示了近期一系列有关新型光电器件的工作。主要包括基于自供电,低维柔性,混合维度范德华异质结构,反常负光电导等光电探测器件。为低维材料规模合成,光电器件功能应用,多场所系统集成作出一些探索。主要研究内容与结果如下所示。1.基于Fe:TiO2/n-Si异质结的自供电紫外-可见光电探测器。在本章中,发展了简便的溶液方法,将钛酸四丁酯(C16H36O4Ti)乙醇溶液与无水氯化铁（FeCl3）的乙醇溶液混合搅拌形成溶胶,硅片上旋涂该溶胶随后退火处理,制备出Fe掺杂TiO2（Fe:TiO2）/n-Si异质结,由此构筑了具备快速响应,高光敏性和自供电的Fe:TiO2/n-Si紫外-可见光电探测器。器件具有出色的光响应特性,包括在零偏压下0.5 mW?cm-2光照条件下,46 mA/W（350 nm）和60 mA/W（600 nm）的高响应度,以及无外部能量供应或外部能量供应不足条件下超灵敏（开/关比率高达103）,快速（上升/衰减时间<10/15 ms）和宽带（紫外-可见）的光电探测。此外,异质结的量子效率在-0.5V的小反向偏压下在宽波长范围内超过100%。自供电源于Fe:TiO2和Si之间存在内建电场,这有助于促进光生电子-空穴对的分离和调节电子传输。Fe:TiO2/n-Si器件的电容-电压（C-V）测量也证实了内建电场的存在。并且构筑的多个异质结器件都表现出稳定,可重复的光电特性。这种Fe:TiO2/n-Si异质结光电探测器可适用于紫外-可见光波段中弱信号的快速检测。2.基于毫米尺寸PbI2薄片和Pb5S2I6纳米线的柔性光电探测器。在本章中,通过发展水热法,将氯化铅（PbCl2）,碘（I2）,硫脲（（NH2）2CS）与蒸馏水加入至高压反应釜中并在150°C下保持10小时,合成尺寸可达5 mm的大尺寸层状结晶PbI2薄片。分析生长动力学发现硫脲的存在和温度下降促进了大面积片状产物的产生。在柔性聚酰亚胺（PI）衬底上构建的PbI2薄片光电探测器,通过光电流测量发现在510 nm表现出5 mA·W-1的响应度。此外,器件的响应速度小于30 ms。在5 V的偏压下,获得低于10pA的暗电流。PbI2薄片具备的光谱选择性可用于窄带的光电探测。通过改变反应物的组分该反应过程可以获得Pb5S2I6纳米线,以此构筑的纳米线膜光电探测器通过光电测量发现更宽的光谱响应范围。此外PbI2薄片和Pb5S2I6纳米线的柔性光电探测器都具有出色的柔韧性,机械稳定性,耐折性和长期稳定性。大面积PbI2薄片和Pb5S2I6纳米线的独立自支撑生长的发现会导致器件制造的灵活性。这些发现将拓宽对范德瓦尔斯层状卤化物半导体的基础知识。同时这种水热合成方法简单,可扩展,适用于其他二维层状材料。3.SbSI晶须/PbI2薄片混合维范德华异质结光电探测器。在上述PbI2工作基础上,本章中,我们首次报告了由单个SbSI晶须和单个PbI2薄片构筑的大型混合维范德华异质结构,并用于光电探测。异质结有效面积达到105μm2,远远大于其他工作报道的器件结面积。通过拉曼光谱验证层间耦合,SbSI/PbI2异质结构显示了界面处的范德华相互作用。无光照下器件的Ids-Vds特性曲线,具有类似整流的特征,这都佐证了SbSI/PbI2范德华异质结的形成。受益于毫米级晶须和薄片,我们利用了SbSI和PbI2之间的范德华结界面和操作灵活性。由于比单个材料更大的光捕获截面,这种混合维异质结构用作光电子平台。二维材料充当集电极,而一维材料充当电流通道。与单个SbSI晶须器件相比,异质结器件可以实现较低的暗电流和较宽的光谱响应范围。SbSI/PbI2光电探测器的响应度高达26.3mA·W-1,快的响应速度12 ms。此外构筑的多个SbSI/PbI2光电探测器都表现出可靠,稳定的光电特性。大面积生长和可扩展的方法为二维材料有效的转移和范德华异质结组装提供了一种方案。4.首次发现B相VO2纳米棒中自驱动光响应,反常负光电导以及电阻开关现象。本章中发展水热法,将氧化钒（V2O5）和草酸（H2C2O4）加入到超纯水并在200°C保持20小时即得到B相VO2纳米棒。基于B相VO2纳米棒构筑了可用于光电探测和电阻开关的薄膜器件。首次发现接近零偏压处,与许多其他半导体不同,VO2纳米棒薄膜器件的光电流产生受到光热电效应的影响,而不仅仅是光激发电子-空穴对的分离。零偏压时,器件在250-850 nm宽光谱范围内有着优异的响应。通过波长相关的光电导测量观察到,在远离零偏压处光激发抑制了电导率。通过I-V扫描还发现电阻开关现象这归因于材料的表面态。与相变材料M相VO2薄膜结合构筑温控阻变器件,当温度达到相变温度时,器件发生电阻切换并可用于存储。基于低维VO2材料的新型器件可以应用在低功耗的宽光谱光电探测与阻变存储中。最后在上述工作基础上我们通过水热法将氯化铋（BiCl3）/氯化锑（SbCl3）,硫脲（（NH2）2CS）,碘（I2）加入水溶液中并在180-200°C保持12小时合成了BiSI/SbSI晶须材料,在这类铁电材料构筑的双端器件中发现阻变、压电现象。我们从材料合成,器件构建,精准测试,理论计算,成像探索等方面提出了工作改进构想并作出展望。
王宝[7]（2019）在《基于SnO2@TiO2纳米核壳结构光电化学紫外探测器的研究》文中研究表明紫外探测技术由于其在民用和商用、军事、航天及医学方面有着很大的应用价值而受到了人们的广泛关注和研究。近年来,与一般的p-n结和肖特基结型UVPDs相比,同样作为光伏型紫外探测器的基于宽禁带半导体材料的光电化学自供能紫外探测器（PEC UV-PD）由于其独特的优势引起了人们极大的研究兴趣。PEC UV-PD主要有两个优势:（1）较高的光响应度;（2）利用的原料丰富且无毒,制作工艺简单,成本较低。SnO2是一种重要的n型半导体,通常以四方的金红石相存在。SnO2在很多方面都具备较好的灵敏性,包括化学传感、生物传感及紫外线传感等。由于SnO2的电子迁移率(约100-200 cm2·V-1·s-1)和禁带宽度（3.6-3.8 eV）都高于TiO2(约0.1-1 cm2·V-1·s-1,3.2 eV),且其具备很快的光响应速度、可见盲特性以及很好的长期稳定性,故SnO2在PEC UVPDs领域作为TiO2的替代物是很有前景的。目前,纳米结构如纳米颗粒、纳米棒/线及纳米管等已经被广泛的研究用于设计合理的表面形貌。具有高比表面积的纳米颗粒能提高UVPDs的性能,但大规模的光阳极和电解质之间的接触面提供了复合界面,使得光生电子很容易与电解液中的离子复合。相比之下,一维纳米结构具备更快的光生电荷传输速度和相对较低的光生电荷与电解质复合的几率。首先,本课题利用简单水热法在FTO导电玻璃基底上制备SnO2纳米线阵列,并将其作为光阳极制作PEC UVPDs。通过优化水热反应条件（SnCl4·5H2O的质量为0.408 g、反应温度为95°C、反应时间为48 h）获得了光电性能最佳的SnO2纳米线阵列光阳极,在波长为365 nm,功率为40 mW·cm-2的紫外光照射下,PEC UV-PD产生的光电流J为0.798 mA·cm-2,光响应度Rλ为20 mA·W-1,开关比为475。为了进一步提高基于SnO2纳米线阵列的PEC UV-PD的光电性能,利用简单化学反应在SnO2纳米线阵列上包覆了TiO2,制备了一系列不同包覆时间（20 min、30 min、40 min、50 min）的SnO2@TiO2纳米核壳结构,有效地抑制了SnO2光阳极/电解质界面处光生电荷的复合,从而提高了SnO2纳米线阵列基PEC UV-PD的光电性能。基于最优包覆条件（包覆时间为40 min）下制备的SnO2@TiO2纳米核壳结构的PEC UV-PD在波长为365 nm,功率为40 mW·cm-2的紫外光照射下,产生的光电流J达到4.23 mA·cm-2,光响应度Rλ达到106 mA·W-1,是基于SnO2纳米线阵列的PEC UV-PD(J为0.798 mA·cm-2,Rλ为20 mA·W-1)的5倍之多,开关比为5423,远高于基于SnO2纳米线阵列的PEC UV-PD的475的开关比。此外,PEC UV-PD具备良好的稳定性、可重复性以及较快的光响应速度,上升时间τr和下降时间τd分别为0.022 s和0.024 s,且入射光强在1-40 mW·cm-2范围内变化时,器件产生的光电流密度随光强的增加基本呈线性增加,表明器件在精准测量紫外线方面的应用有很大的潜力。
张德重[8]（2019）在《基于自耗尽效应的异质宽禁带半导体紫外探测器的研究》文中进行了进一步梳理高性能紫外探测器在军事、环境、医疗等领域具有广泛应用。随着半导体材料与器件的制备工艺不断进步,宽禁带半导体紫外探测器目前已成为紫外探测技术领域的研究热点。宽禁带材料自身不吸收可见光,能够有效弥补基于Si、GaAs等窄带隙半导体紫外探测器需要配合滤光设备进行工作的劣势,而且宽禁带材料种类众多,尤其包括多种氧化物材料如ZnO、TiO2、Ga2O3、NiO等,这些材料性质稳定,制备方法多样且成本低,具有重要的研究意义。但宽禁带材料的一些固有不足如载流子迁移率低、激子寿命短,以及氧化物材料体内陷阱和缺陷多等,导致了器件暗电流较高,响应度偏低等问题。随着科技的发展,各应用领域对紫外光电探测器性能参数的要求不断提高,包括具有更高的光电流、更低的暗电流和更快的响应/恢复速度等。其中,降低器件的暗电流极为重要,可以有助于提高器件的信噪比和探测灵敏度,降低光强检测下限,使器件具有更广阔的应用前景。为了抑制器件暗电流,利用耗尽效应被证明是一种合理、有效的方法。本论文围绕光电导型异质复合材料及器件的制备,通过引入多子自耗尽效应等机制来改善器件暗电流等各方面性能,主要开展了以下研究工作:首先设计并制备了一种基于暗态自耗尽效应的TiO2/NiO PN异质复合薄膜紫外探测器,其中TiO2薄膜通过溶胶-凝胶法制备,NiO薄膜和器件的Ni/Au合金电极通过一种独特的氧化法同时制备。与基于单一薄膜材料的器件相比,异质复合薄膜器件的暗电流和噪声得到明显降低。在暗态下,PN异质结构产生的自耗尽效应使复合薄膜几乎全部处于耗尽区,复合材料体内的多子浓度被有效降低,器件表现为高阻值状态,在6 V偏压下的暗电流仅为0.033 nA,比单一薄膜器件低了两个数量级。当器件处于紫外光照下时,由于光生载流子的分离与积累,异质结构界面附近的内建电场被平衡,自耗尽效应被抵消,复合材料回到高电导率状态,使器件具有充足的光响应,最终器件的探测灵敏度达到了1.56×1014 Jones。器件的优化过程以及自耗尽效应的详细分析在本论文第二章中给出。本论文在第三章中对ZnO基紫外探测器展开一系列研究。由于ZnO材料激子结合能较高,表面缺陷多,导致ZnO器件的光响应不足且暗电流较大。本论文通过在ZnO薄膜材料中引入局部异质结构产生自耗尽效应等机制,来改善器件各方面性能。首先通过溶液法制备了一种无需退火的N型ZnO纳米颗粒材料,然后在成膜过程中分别引入不同的P型材料,在混合薄膜中均匀分布并形成局部异质结构。在暗态下,异质结构内产生的多子耗尽区有效降低ZnO中的电子浓度,使整个薄膜的传输电子能力下降,从而降低了器件的暗电流。在紫外光照下,局部异质结构中产生的激子会在内建电场的作用下更快、更有效地分离,减小ZnO体内激子直接复合几率,从而降低电荷损失。在一定光强下,自耗尽效应将被完全抵消,异质材料器件展现出更高的光响应。在本论文的第四章中,首先通过水热法在FTO玻璃衬底表面制备了N型TiO2一维纳米线阵列,然后通过静态沉积、动态溶剂清洗等实验手段,将P型有机宽禁带材料N,N’-二（萘-2-基）-N,N’-二（苯基）联苯-4,4’-二胺（NPB）填充于纳米线阵列的间隙中,并制备了基于该有机/无机杂化的异质一维光电导型器件。对于多数一维宽禁带氧化物材料,其特殊的纳米结构可使载流子的传输更高效,有助于获得更高的光响应和更快的响应/恢复速度。但是由于一维氧化物材料普遍含有大量缺陷,使材料体内多子浓度较高,导致器件的暗电流较大。本论文通过构建TiO2/NPB异质复合结构,在暗态下产生多子自耗尽效应,有效降低TiO2体内的自由电子浓度,从而降低器件暗电流。在紫外光照下,TiO2/NPB异质结构中产生的激子将在内建电场的作用下发生分离,更多的光生电子流向TiO2,同时内建电场被平衡,自耗尽效应被抵消,从而保证TiO2纳米线具有较高的光电导。最终使器件在暗态和紫外光照下的各方面性能均得到有效改善。本论文研制了多种复合材料光电导型紫外探测器,通过形成异质结构产生多子自耗尽效应等机制,有效改善器件在暗态及紫外光照下的各方面性能,器件的暗电流、响应度、探测灵敏度等性能参数均有所提升。本论文为宽禁带半导体紫外光电探测器的材料选择,结构设计,以及器件工作机理分析等方面提供了有价值的参考。
刘艳珍,李国辉,崔艳霞,冀婷,郝玉英[9]（2019）在《钙钛矿光电探测器的研究进展》文中提出钙钛矿材料因其可调带隙工程、高吸收系数、长程平衡载流子传输距离等光学、电学特性而在光电探测领域表现出光明的应用前景。钙钛矿晶体包含了微晶/多晶薄膜、块体单晶和低维纳米单晶等不同形貌。依次介绍了基于不同形貌钙钛矿晶体制成的光电导型、光伏型、晶体管型与光电倍增型光电探测器的发展历史及研究现状,展示了不同类型器件在光谱响应率、探测率及响应速度等性能参数方面所表现出的不同特征。总结了钙钛矿光电探测器在柔性、窄带探测、自驱动及阵列化等特殊性能方面所取得的研究进展,并对钙钛矿光电探测器的发展前景进行了展望。
王越[10]（2018）在《基于PEIE修饰层的高性能聚合物光电导型探测器的研究》文中研究指明光电探测器是捕获光信号并转换为相应电信号的一类探测器件。与无机探测器相比,有机探测器有诸多优点,例如:低成本、柔性以及可以大面积的制造等,因此被认为是可以替代无机探测器的一类新型器件。而在报道各种类型的有机探测器中,光电导型探测器由于其光响应高（外量子效率可超过100%）、结构简单等优点,受到了研究人员越来越多的关注。随着近年来各种新型器件的开发,器件效率不断被提升,但同时,这些器件往往存在着暗电流密度较高、线性动态范围较低、制备工艺复杂、材料存在毒性等问题,从而其未来走向应用化的前景受到了限制。因此,如何实现全优参数的有机聚合物光电导探测器,是目前该领域亟待要解决的问题。器件暗电流密度高低是影响光电探测器性能的关键。目前,大多数的有机聚合物光电导型探测器通常是基于电子给受体混合的异质结光功能层结构。然而,尽管这种异质结光功能层结构可以显着的提升光生激子的分离效率,但同时也会带来较大的暗电流,从而降低器件的性能。因此,首先,我们通过一步溶液旋涂法并附加低温退火的方式,引入水溶性的聚乙烯亚胺（PEIE）修饰层来修饰ITO电极,将其应用于以P3HT:PC61BM为光功能层的聚合物光电导型探测器中,在-1 V的工作电压下,最高的量子效率达到了 3250%,比探测率为1.04×1012 Jones,响应速度分别为上升时间78μs,下降时间87μs。器件的光辅助C-V特性、瞬态光电流特性等表征揭示了 PEIE在实现聚合物光电导探测器高性能中的作用。同时,我们也注意到在线性动态范围这一参数上,PEIE器件最高仅能达到55 dB,相比商用的无机光电探测器的线性动态范围通常可达到100 dB以上,还有较大差距。且当改变入射光功率,器件的光响应会急剧衰减,这对于器件应用都是不利的因素。为了进一步优化器件性能:尤其是改善线性动态范围这一参数,在之前工作的基础上,我们通过引入锐钛矿相TiO2纳米晶,其可以分散于PEIE的溶剂水中,并作为电荷的“俘获中心”来提高器件性能。首先,我们合成了一种无表面配体的锐钛矿相TiO2纳米晶材料,将其制备成作为器件内部电荷“俘获中心”的修饰层,实现了基于P3HT:PC61BM的较高性能的聚合物光电导型探测器件。器件在-1 V的工作电压下:实现了 113%的EQE响应,1.9×1012Jones的比探测率,上升时间34 μs和下降时间26 μs的响应速度等。接下来,在PEIE中引入优化后的Ti02纳米晶制备混合修饰层,从而提高PEIE器件的性能,在响应速度上,上升时间由78 μs降低为42 μs,下降时间由87 μs降低为32μs,而线性动态范围上从55 dB大幅提升为103 dB,较PEIE器件提升了将近两倍,但同时,由于Ti02纳米晶的引入,PEIE器件的光响应（EQE）性能上却有所下降。为了能够在PEIE器件上同时得到较高性能的响应速度,光响应（EQE）,线性动态范围等。我们通过调控ITO/PEIE/PC61BM:P3HT/A1器件中的PC61BM受体在光功能层中的重量配比,发现调控给受体界面可以全面提高器件性能,尤其在达到高线性动态范围的同时,维持较高的光响应性能。所优化后的器件性能,最高EQE由1024%提高为12000%,同时线性动态范围由55 dB提升为79 dB,比探测率也从9.17 × 1011 Jones最高达到2.59 × 1012 Jones,响应速度上,上升时间为24μs,下降时间为78μs。通过光功能层的TEM图谱、器件的光辅助C-V特性曲线以及瞬态光电流等测试结果,分析了 PC61BM受体含量,对给受体界面的影响以及改善器件性能的原因。
二、聚合物/TiO_2分层光电导型器件的电荷传输特性（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、聚合物/TiO_2分层光电导型器件的电荷传输特性（论文提纲范文）
（1）CuInSe2胶体量子点光电探测器的研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 引言 |
| 2 绪论 |
| 2.1 量子点的概述及其物理性质 |
| 2.1.1 量子点的基本性质 |
| 2.1.2 量子点的发展历程 |
| 2.1.3 量子点的合成与制备 |
| 2.2 量子点光电探测器 |
| 2.2.1 探测器的性能指标 |
| 2.2.2 探测器的结构 |
| 2.2.3 量子点探测器的发展 |
| 2.3 CuInSe_2量子点的发展历程 |
| 2.4 研究内容及研究意义 |
| 3 CuInSe_2量子点的配体交换及其光电探测器 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 实验与表征 |
| 3.2.1 实验试剂与制备 |
| 3.2.2 CuInSe_2量子点的合成与探测器的制备 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 两种配体修饰的CuInSe_2量子点制备过程及性能表征 |
| 3.3.2 CuInSe_2量子点光电探测器性能测试与机理分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 锰掺杂CuInSe_2量子点光电探测器 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 实验与表征 |
| 4.2.1 实验试剂与设备 |
| 4.2.2 Mn~(2+)掺杂CuInSe_2量子点的合成与探测器的制备 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 Mn~(2+)掺杂CuInSe_2量子点的基本性质及结构表征 |
| 4.3.2 Mn~(2+)掺杂CuInSe_2量子点的光谱分析 |
| 4.3.3 量子点薄膜的缺陷态和能带结构研究 |
| 4.3.4 Mn~(2+)掺杂用于提高CuInSe_2量子点光电探测器的性能 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 基于CuInSe_2量子点和钙钛矿薄膜的双层光电探测器 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 实验与表征 |
| 5.2.1 实验试剂与设备 |
| 5.2.2 双层探测器的制备 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 双层探测器的结构表征 |
| 5.3.2 薄膜性能表征 |
| 5.3.3 薄膜的生长机理 |
| 5.3.4 光电探测器的基本性能 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 新型CuInSe_2量子点忆阻器 |
| 6.1 前言 |
| 6.2 实验与表征 |
| 6.2.1 实验试剂与制备 |
| 6.2.2 CuInSe_2量子点忆阻器的制备 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 CuInSe_2量子点基本性质表征 |
| 6.3.2 CuInSe_2量子点忆阻器性质表征 |
| 6.3.3 CuInSe_2量子点忆阻器的原理 |
| 6.3.4 CuInSe_2量子点柔性忆阻器 |
| 6.4 本章小结 |
| 7 结论、主要创新点与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 创新点 |
| 7.3 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历及在学研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（2）卤化物钙钛矿纳米晶的制备及光探测性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 液相制备半导体光探测器件 |
| 1.2 卤化物钙钛矿材料概述 |
| 1.3 卤化物钙钛矿纳米晶的基本性质及应用 |
| 1.3.1 卤化物钙钛矿纳米晶结构及性质 |
| 1.3.2 卤化物钙钛矿纳米晶制备方法 |
| 1.3.3 卤化物钙钛矿纳米晶应用现状 |
| 1.4 卤化物钙钛矿纳米晶光探测器件研究进展 |
| 1.5 本文选题意义及研究内容 |
| 1.5.1 选题意义 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 第二章 实验样品的制备与测试表征方法 |
| 2.1 无机钙钛矿纳米晶的制备及表征方法 |
| 2.1.1 钙钛矿纳米晶的合成方法 |
| 2.1.2 实验试剂和仪器设备 |
| 2.1.3 材料物性表征方法 |
| 2.2 光探测器制备及性能测试方法 |
| 2.2.1 光探测器的制备 |
| 2.2.2 光探测器工作原理 |
| 2.2.3 光探测器主要性能参数 |
| 2.2.4 光探测性能测试 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 CsPbBr_3钙钛矿纳米晶的制备和性能研究 |
| 3.1 CsPb Br_3纳米晶的制备及性能表征 |
| 3.1.1 CsPbBr_3纳米晶的制备 |
| 3.1.2 CsPbBr_3纳米晶的表征 |
| 3.2 CsPbBr_3纳米晶的生长机理研究 |
| 3.2.1 实验过程 |
| 3.2.2 不同制备工艺参数对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 3.2.3 滴加前驱体制备CsPbBr_3纳米晶 |
| 3.2.4 CsPbBr_3纳米晶的生长机理分析 |
| 3.3 氢卤酸调控CsPbBr_3纳米晶的形貌和尺寸 |
| 3.3.1 实验过程 |
| 3.3.2 结果与讨论 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 CsPbBr_3纳米晶薄膜制备及光探测性能 |
| 4.1 均匀CsPbBr_3纳米晶薄膜制备及光探测器构筑 |
| 4.1.1 均匀薄膜的制备与表征 |
| 4.1.2 探测器制备及性能测试 |
| 4.2 CsPbBr_3纳米晶薄膜厚度对光探测性能影响 |
| 4.2.1 实验过程 |
| 4.2.2 结果与讨论 |
| 4.3 CsPbBr_3纳米晶薄膜热处理对光探测性能的影响 |
| 4.3.1 实验过程 |
| 4.3.2 结果与讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 掺杂对钙钛矿纳米晶的性能影响 |
| 5.1 FAPbBr_3量子点的制备及性能研究 |
| 5.1.1 FAPbBr_3量子点的制备 |
| 5.1.2 FAPbBr_3量子点的表征 |
| 5.2 Cs_xFA_(1-x)PbBr_3纳米晶的制备及光探测性能 |
| 5.2.1 实验过程 |
| 5.2.2 结果与讨论 |
| 5.3 Sb掺杂CsPbBr_3纳米晶的制备及光探测性能 |
| 5.3.1 实验过程 |
| 5.3.2 结果与讨论 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 CsPbBr_3/rGO复合纳米材料的制备及光探测性能 |
| 6.1 氧化石墨烯的制备及还原 |
| 6.1.1 实验过程 |
| 6.1.2 结果与讨论 |
| 6.2 CsPbBr_3/rGO复合纳米材料的制备及光探测性能 |
| 6.2.1 实验过程 |
| 6.2.2 结果与讨论 |
| 6.3 本章小结 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 工作总结 |
| 7.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的科研成果 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（3）基于TiO2的有机无机杂化紫外探测器的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 紫外辐射与紫外探测技术简介 |
| 1.2 无机紫外探测技术 |
| 1.2.1 无机半导体材料 |
| 1.2.2 无机紫外光电探测器分类 |
| 1.3 有机紫外探测技术 |
| 1.3.1 有机半导体材料 |
| 1.3.2 有机半导体器件结构 |
| 1.4 紫外探测器主要性能指标 |
| 1.5 有机、无机半导体紫外探测器发展 |
| 1.6 本论文的主要研究内容 |
| 第二章 基于TiO_2的光电导紫外探测器 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 TiO_2 薄膜的制备 |
| 2.3 TiO_2 薄膜的表征 |
| 2.4 TiO_2 薄膜紫外探测器的制作 |
| 2.5 TiO_2 薄膜紫外探测器的性能测试 |
| 2.6 TiO_2 薄膜紫外探测器的工作原理分析 |
| 2.7 结论 |
| 第三章 PVK/TiO_2光伏型紫外探测器 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 有机半导体材料的选择 |
| 3.3 薄层PVK/TiO_2 紫外探测器 |
| 3.3.1 薄层PVK/TiO_2 异质结的制备 |
| 3.3.2 薄层PVK/TiO_2 紫外探测器的表征 |
| 3.3.3 薄层PVK/TiO_2 紫外探测器的制备 |
| 3.3.4 薄层PVK/TiO_2 紫外探测器的性能测试 |
| 3.4 厚层PVK/TiO_2 紫外探测器 |
| 3.4.1 厚层PVK/TiO_2 异质结的制备 |
| 3.4.2 厚层PVK/TiO_2 异质结的表征 |
| 3.4.3 厚层PVK/TiO_2 紫外探测器的制备 |
| 3.4.4 厚层PVK/TiO_2 紫外探测器的性能测试 |
| 3.5 PVK/TiO_2 紫外探测器的工作原理 |
| 3.6 总结 |
| 第四章 量子点改性的薄层PVK/TiO_2光伏型紫外探测器 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 量子点 |
| 4.2.1 量子点材料的性质 |
| 4.2.2 CIS-Z量子点的表征及测试 |
| 4.3 量子点改性薄层PVK/TiO_2 异质结的制备和表征 |
| 4.3.1 量子点改性薄层PVK/TiO_2 异质结的制备 |
| 4.3.2 量子点改性薄层PVK/TiO_2 异质结的表征 |
| 4.4 量子点改性薄层PVK/TiO_2 紫外探测器的制备及性能测试 |
| 4.4.1 量子点改性薄层PVK/TiO_2 紫外探测器的制备 |
| 4.4.2 量子点改性薄层PVK/TiO_2 紫外探测器的测试 |
| 4.5 量子点改性薄层PVK/TiO_2 紫外探测器的工作原理 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 聚芴改性的厚层PVK/TiO_2光伏型紫外探测器 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 共轭聚合物 |
| 5.2.1 共轭聚合物的结构及性质 |
| 5.2.2 聚芴及其衍生物 |
| 5.2.3 PFTBT的测试 |
| 5.3 聚芴改性厚层PVK/TiO_2 异质结的制备和表征 |
| 5.3.1 聚芴改性厚层PVK/TiO_2 异质结的制备 |
| 5.3.2 聚芴改性厚层PVK/TiO_2 异质结的表征 |
| 5.4 聚芴改性厚层PVK/TiO_2 紫外探测器的制备及性能测试 |
| 5.4.1 聚芴改性厚层PVK/TiO_2 紫外探测器的制备 |
| 5.4.2 聚芴改性厚层PVK/TiO_2 紫外探测器的测试 |
| 5.5 聚芴改性厚层PVK/TiO_2 紫外探测器的机理分析 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 总结 |
| 参考文献 |
| 作者及成果介绍 |
| 致谢 |
（4）新型PtSe2/TiO2肖特基结紫外光电探测器（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 光电探测器的概述和研究背景 |
| 1.2 实现光电探测的物理机制 |
| 1.3 光电探测器的基本参数 |
| 1.3.1 响应度和光谱响应 |
| 1.3.2 探测率与比探测率 |
| 1.3.3 量子效率 |
| 1.3.4 响应速度和带宽 |
| 1.3.5 信噪比 |
| 1.4 光电探测器分类 |
| 1.4.1 红外光电探测器(Infrared Photodetector) |
| 1.4.2 可见光电探测器(Visible Photodetector) |
| 1.4.3 紫外光电探测器(UV Photodetector) |
| 1.5 光电探测器的结构种类 |
| 1.5.1 光电导型光电探测器 |
| 1.5.2 PN结型光电探测器 |
| 1.5.3 PIN结型光电探测器 |
| 1.5.4 APD雪崩光电二极管 |
| 1.5.5 肖特基结型光电探测器 |
| 1.6 本章小结 |
| 第二章 过渡贵金属硫属化物(NTMD)的性质和应用 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 二维过渡贵金属硫属化物(NTMD)的结构 |
| 2.3 二维过渡贵金属硫属化物(NTMD)的制造 |
| 2.3.1 机械剥离法 |
| 2.3.2 化学气相沉积 |
| 2.3.3 其他合成方法 |
| 2.4 二维NTMD的应用 |
| 2.4.1 场效应晶体管 |
| 2.4.2 .光电探测器 |
| 2.4.3 催化 |
| 2.4.4 传感器 |
| 2.4.5 其他应用 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 二氧化钛纳米棒和二硒化铂薄膜的制备与表征 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 TiO_2纳米棒阵列的制备 |
| 3.2.1 实验材料与实验仪器 |
| 3.2.2 TiO_2纳米棒阵列的制备方法简介 |
| 3.3 TiO_2纳米棒阵列表征 |
| 3.3.1 扫描电子显微镜(SEM)分析 |
| 3.3.2 透射电子显微镜(TEM)分析 |
| 3.3.3 X射线光电子能谱(XPS)分析 |
| 3.3.4 X射线衍射(XRD)图谱分析 |
| 3.4 二硒化铂薄膜的合成 |
| 3.4.1 实验药品与实验仪器 |
| 3.4.2 PtSe_2薄膜的合成方法简介 |
| 3.5 二硒化铂薄膜的表征 |
| 3.6 二硒化铂薄膜的转移 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 二硒化铂/二氧化钛纳米棒阵列紫外光电探测器的制备与光电性能分析 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 二硒化铂/二氧化钛纳米棒阵列紫外光电探测器的制备 |
| 4.3 二硒化铂/二氧化钛纳米棒阵列紫外光电探测器的光电性能测试与分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 |
（5）面向高光谱成像的钙钛矿/硫化铅量子点异质结光电探测器研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 高光谱成像与宽谱光电探测器概述 |
| 1.1.1 高光谱成像简介 |
| 1.1.2 高光谱成像研究现状及主要挑战 |
| 1.1.3 宽谱光电探测器的研究意义 |
| 1.2 钙钛矿宽谱光电探测器 |
| 1.2.1 钙钛矿材料性质 |
| 1.2.2 钙钛矿在光电探测器中的应用 |
| 1.2.3 钙钛矿宽谱光电探测器的技术挑战与研究现状 |
| 1.3 硫化铅量子点光电探测器 |
| 1.3.1 硫化铅量子点简介 |
| 1.3.2 硫化铅量子点在光电探测器中的应用 |
| 1.3.3 硫化铅量子点光电探测器的技术挑战与应用现状 |
| 1.4 本文的研究目的与研究内容 |
| 1.4.1 本文的研究目的 |
| 1.4.2 本文的研究内容与结构安排 |
| 第2章 光电导型钙钛矿/硫化铅量子点异质结宽谱光电探测器及阵列 |
| 2.1 器件制备与表征 |
| 2.1.1 实验试剂与仪器设备 |
| 2.1.2 器件制备工艺 |
| 2.1.3 材料与器件表征 |
| 2.1.4 器件光电探测参数表征方法 |
| 2.2 光电导型钙钛矿/硫化铅量子点异质结光电探测器光电转换性能研究 |
| 2.2.1 钙钛矿/硫化铅量子点界面光生载流子转移输运物理机制 |
| 2.2.2 硫化铅量子点表面基团对器件光电响应的调控 |
| 2.2.3 优化后复合异质结光电探测器的光电探测参数分析 |
| 2.3 光电导型钙钛矿/硫化铅量子点异质结光电探测器阵列 |
| 2.3.1 钙钛矿/硫化铅量子点宽谱光电探测器潜在应用分析 |
| 2.3.2 钙钛矿/硫化铅量子点异质结宽谱成像阵列初步探索 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 钙钛矿/硫化铅量子点异质结宽谱光电二极管 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 器件制备与表征 |
| 3.2.1 实验试剂与仪器设备 |
| 3.2.2 器件制备工艺 |
| 3.2.3 材料与器件表征 |
| 3.3 钙钛矿/硫化铅量子点异质结宽谱光电二极管光电转换性能研究 |
| 3.3.1 宽谱光电二极管的光生载流子产生、分离与输运机制 |
| 3.3.2 宽谱光电二极管的性能优化 |
| 3.3.3 宽谱光电二极管的光电探测参数分析 |
| 3.3.4 光电二极管等比例缩小能力初步探索 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 钙钛矿/硫化铅量子点异质结光电二极管线阵宽谱成像系统 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 线阵成像系统设计 |
| 4.2.1 系统总体框架 |
| 4.2.2 电阻反馈跨阻放大读出电路工作原理 |
| 4.2.3 核心芯片选型分析及外围电路设计 |
| 4.3 线阵成像系统功能验证 |
| 4.3.1 光电流跨阻放大电路功能验证 |
| 4.3.2 钙钛矿/硫化铅量子点光电二极管线阵成像系统功能验证 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 工作总结与展望 |
| 5.1 论文主要工作 |
| 5.2 研究工作的展望 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 第4章 所述线阵扫描成像系统总体原理图及PCB版图 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论着、论文 |
| 致谢 |
（6）溶液法制备过渡金属氧化物和（硫）碘化物及其光电探测器研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 光电探测器的简介 |
| 1.2.1 光电探测器的工作机制 |
| 1.2.2 光电探测器的重要参数 |
| 1.2.3 光电探测器所面临的挑战 |
| 1.3 新型光电探测器 |
| 1.3.1 自驱动/自供电光电探测器件 |
| 1.3.2 柔性光电探测器件 |
| 1.3.3 混合维范德华异质结光电探测器 |
| 1.3.4 紫外日盲、红外及太赫兹波段探测 |
| 1.4 低维材料的合成 |
| 1.5 范德华异质结构建及器件应用 |
| 1.5.1 范德华异质结构建 |
| 1.5.2 范德华异质结器件应用 |
| 1.6 论文研究的意义与内容 |
| 1.6.1 论文研究意义 |
| 1.6.2 论文研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 基于Fe:TiO_2/n-Si异质结的自供电紫外-可见光电探测器 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 原料及仪器 |
| 2.2.2 样品合成及表征 |
| 2.2.3 器件构建及性能测试 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 TiO_2和Fe:TiO_2薄膜/Si异质结的表征 |
| 2.3.2 Fe:TiO_2/n-Si异质结光电探测器的光响应特性 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 基于毫米尺寸PbI_2薄片和Pb_5S_2I_6纳米线的柔性光电探测器 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 原料及仪器 |
| 3.2.2 样品合成及表征 |
| 3.2.3 器件构建及性能测试 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 PbI_2和Pb_5S_2I_6 的表征 |
| 3.3.2 刚性/柔性PbI_2光电探测器光响应特性 |
| 3.3.4 柔性Pb_5S_2I_6 纳米线膜光电探测器光响应特性 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 SbSI晶须/PbI_2薄片混合维范德华异质结用于光电探测 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 原料及仪器 |
| 4.2.2 样品合成及表征 |
| 4.2.3 器件构建及性能测试 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 SbSI和 SbSI/PbI_2 vdW的表征 |
| 4.3.2 单根SbSI晶须光电性能 |
| 4.3.3 SbSI/PbI_2异质结光电性能 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 VO_2纳米棒中自驱动光响应,反常负光电导以及电阻开关 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 原料及仪器 |
| 5.2.2 样品合成与表征 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 VO_2薄膜器件的自供电光响应 |
| 5.3.2 VO_2薄膜的负光电导 |
| 5.3.3 VO_2电阻开关与存储效应 |
| 5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 探讨 |
| 6.3 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间的研究成果目录 |
| 致谢 |
（7）基于SnO2@TiO2纳米核壳结构光电化学紫外探测器的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题研究的背景和意义 |
| 1.2 常见的光电紫外探测器分类及特点 |
| 1.2.1 光电导型紫外探测器 |
| 1.2.2 光伏型紫外探测器 |
| 1.3 PEC自供能紫外探测器简介 |
| 1.3.1 PEC UVPDs的工作原理 |
| 1.3.2 PEC UVPDs的性能指标 |
| 1.4 PEC UVPDs的研究概况 |
| 1.4.1 PEC自供能UVPDs的首次提出 |
| 1.4.2 基于不同电解质的PEC UVPDs |
| 1.4.3 基于不同光阳极的PEC UVPDs |
| 1.4.4 SnO_2作为PEC UVPDs的光阳极存在的关键问题 |
| 1.5 利用纳米核壳结构光阳极提高PEC UVPDs的光电性能 |
| 1.6 主要研究内容 |
| 第2章 实验材料与表征方法 |
| 2.1 实验材料与仪器 |
| 2.1.1 实验药品 |
| 2.1.2 FTO导电玻璃 |
| 2.1.3 液态电解质 |
| 2.1.4 铂对电极 |
| 2.1.5 实验仪器 |
| 2.2 光阳极材料制备及表征 |
| 2.2.1 SnO_2纳米线阵列的制备 |
| 2.2.2 SnO_2@TiO_2纳米核壳结构的制备 |
| 2.2.3 X射线衍射分析 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱分析 |
| 2.2.5 扫描电子显微镜分析 |
| 2.2.6 透射电子显微镜分析 |
| 2.3 PEC UV-PD的制作及光电性能表征 |
| 2.3.1 碘离子液体电解质的配制 |
| 2.3.2 铂对电极的制备 |
| 2.3.3 PEC UV-PD的组装 |
| 2.3.4 PEC UVPDs的J-t曲线测试 |
| 2.3.5 PEC UVPDs的V-t曲线测试 |
| 2.3.6 电化学阻抗谱 |
| 第3章 基于SnO_2纳米线阵列的PEC UV-PD的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 SnO_2纳米线阵列的制备及物相分析 |
| 3.2.1 SnO_2纳米线阵列的制备 |
| 3.2.2 XRD物相分析 |
| 3.3 锡源浓度对SnO_2纳米线阵列形貌及器件光电性能的影响 |
| 3.3.1 不同锡源浓度制备的SnO_2纳米线阵列形貌表征 |
| 3.3.2 基于不同锡源浓度制备的光阳极的PEC UVPDs的光电性能表征 |
| 3.4 反应温度对SnO_2纳米线阵列形貌及器件光电性能的影响 |
| 3.4.1 不同反应温度制备的SnO_2纳米线阵列的形貌表征 |
| 3.4.2 基于不同反应温度制备的光阳极的PEC UVPDs的光电性能表征 |
| 3.5 反应时间对SnO_2纳米线阵列形貌及器件光电性能的影响 |
| 3.5.1 不同反应时间制备的SnO_2纳米线阵列的形貌表征 |
| 3.5.2 基于不同反应时间制备的光阳极的PECUVPDs的光电性能表征 |
| 3.6 关于水热法制备SnO_2纳米线阵列生长机理的讨论 |
| 3.7 本章小结 |
| 第4章 利用SnO_2@TiO_2核壳结构提高PEC UVPD性能 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 SnO_2@TiO_2纳米核壳结构的制备及表征 |
| 4.2.1 SnO_2@TiO_2纳米核壳结构的制备 |
| 4.2.2 XRD物相分析 |
| 4.2.3 XPS成分和化学价态组成分析 |
| 4.2.4 扫描电镜(SEM)形貌表征 |
| 4.2.5 透射电镜(TEM)形貌表征 |
| 4.3 基于SnO_2@TiO_2纳米核壳结构PEC UVPDs的光电性能表征 |
| 4.3.1 J-t曲线测试 |
| 4.3.2 光响应度测试 |
| 4.3.3 电化学阻抗谱测试 |
| 4.3.4 开路电压随时间衰减曲线测试 |
| 4.3.5 光阳极漫反射图谱测试 |
| 4.3.6 光响应速度测试 |
| 4.3.7 光电流与光强关系的测试及线性拟合 |
| 4.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（8）基于自耗尽效应的异质宽禁带半导体紫外探测器的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 紫外探测技术简介 |
| 1.2 紫外探测器的主要性能指标 |
| 1.3 宽禁带半导体紫外探测器简介 |
| 1.3.1 国内外研究进展 |
| 1.3.2 主要面临问题与发展方向 |
| 1.4 异质材料中的自耗尽效应简介 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 |
| 第二章 基于TiO_2/NiO异质复合薄膜紫外探测器 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 TiO_2/NiO异质复合薄膜的制备 |
| 2.2.1 制备TiO_2薄膜 |
| 2.2.2 制备NiO薄膜和Ni/Au合金电极 |
| 2.3 TiO_2/NiO异质复合薄膜的表征 |
| 2.4 TiO_2/NiO器件性能测试与机理分析 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 ZnO基异质材料紫外探测器 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 ZnO:C复合材料及器件的制备 |
| 3.3 ZnO:C复合材料表征 |
| 3.4 ZnO:C器件性能测试与机理分析 |
| 3.5 ZnO:PCDTBT复合材料及器件的制备 |
| 3.6 ZnO:PCDTBT复合材料表征 |
| 3.7 ZnO:PCDTBT器件性能测试与机理分析 |
| 3.8 本章小结 |
| 第四章 基于TiO_2/NPB异质一维材料紫外探测器 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 TiO_2/NPB异质一维材料及器件的制备 |
| 4.3 TiO_2/NPB异质一维材料表征 |
| 4.4 TiO_2/NPB器件性能测试与机理分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结 |
| 参考文献 |
| 作者简介及科研成果介绍 |
| 致谢 |
（9）钙钛矿光电探测器的研究进展（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 钙钛矿光电探测器的研究进展 |
| 2.1 光电导型钙钛矿光电探测器 |
| 2.2 光伏型钙钛矿光电探测器 |
| 2.3 晶体管型钙钛矿光电探测器 |
| 2.4 光电倍增型钙钛矿探测器 |
| 3 钙钛矿光电探测器的性能研究 |
| 3.1 柔性 |
| 3.2 窄带 |
| 3.3 自驱动 |
| 3.4 阵列化 |
| 4 结束语 |
（10）基于PEIE修饰层的高性能聚合物光电导型探测器的研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 序言 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 有机半导体材料中光电响应机理 |
| 1.2.1 概述 |
| 1.2.2 激子产生 |
| 1.2.3 激子的扩散和解离 |
| 1.2.4 载流子的传输 |
| 1.2.5 载流子的抽取与收集 |
| 1.3 有机/聚合物光电探测器的关键参数 |
| 1.3.1 外量子效率与光谱响应度 |
| 1.3.2 暗电流及噪声电流 |
| 1.3.3 噪声等效功率(NEP)和比探测率(D*) |
| 1.3.4 动态范围 |
| 1.3.5 响应时间 |
| 1.4 不同光谱区域的有机/聚合物光电探测器 |
| 1.4.1 可见与近红外波段 |
| 1.4.2 特定波长选择 |
| 1.4.3 紫外波段 |
| 1.5 有机/聚合物光电探测器的应用 |
| 1.5.1 集成收发器 |
| 1.5.2 成像系统 |
| 1.5.3 其他应用 |
| 1.6 有机/聚合物光电探测器的制备技术 |
| 1.7 有机/聚合物光电探测器的种类及工作机理 |
| 1.7.1 光电二极管 |
| 1.7.2 光电晶体管 |
| 1.7.3 光电导型器件 |
| 1.8 本论文的设计思路与创新之处 |
| 1.8.1 研究目的与创新性 |
| 1.8.2 本论文的内容 |
| 第二章 聚合物光电导型探测器中PEIE修饰层的研究 |
| 2.1 器件制备与表征 |
| 2.1.1 实验材料 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.1.3 器件制备 |
| 2.2 PEIE对ITO电极性能的影响 |
| 2.3 基于PEIE修饰的聚合物光电导型探测器的性能 |
| 2.3.1 模拟太阳光谱下的电流特性 |
| 2.3.2 光谱响应特性 |
| 2.3.3 响应时间 |
| 2.3.4 器件的全波段响应与循环光稳定性研究 |
| 2.3.5 线性动态范围 |
| 2.4 器件的工作机理讨论 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 聚合物光电导型探测器中PEIE和TiO_2混合修饰层的研究 |
| 3.1 实验材料与仪器 |
| 3.1.1 实验材料 |
| 3.1.2 实验仪器 |
| 3.2 TiO_2纳米晶材料的制备与表征 |
| 3.2.1 TiO_2纳米晶的制备 |
| 3.2.2 TiO_2纳米晶材料的表征 |
| 3.3 聚合物光电探测器件的制备 |
| 3.4 TiO_2作为ITO修饰层的聚合物光电导型探测器的性能 |
| 3.4.1 TiO_2纳米晶修饰层对ITO电极的性能影响 |
| 3.4.2 TiO_2纳米晶薄膜的形貌特性 |
| 3.4.3 模拟太阳光谱下的电流特性 |
| 3.4.4 光谱响应特性 |
| 3.4.5 响应时间 |
| 3.4.6 探测器的线性动态范围 |
| 3.4.7 器件的全波段响应与光稳定性研究 |
| 3.5 TiO_2修饰层器件的工作原理 |
| 3.6 TiO_2和PEIE混合电极修饰层的聚合物光电导型探测器的性能 |
| 3.6.1 Ti02和PEIE混合电极修饰层薄膜的形貌特性 |
| 3.6.2 暗电流特性 |
| 3.6.3 光谱响应特性 |
| 3.6.4 响应时间与线性动态范围 |
| 3.7 TiO_2与PEIE混合为电极修饰层的器件讨论 |
| 3.8 本章小结 |
| 第四章 PEIE聚合物光电导型探测器中给受体界面对于器件性能的影响 |
| 4.1 器件制备与表征 |
| 4.1.1 实验材料 |
| 4.1.2 实验仪器 |
| 4.1.3 器件制备 |
| 4.2 不同给受体界面的聚合物光电导型探测器性能 |
| 4.2.1 光功能层的光学吸收 |
| 4.2.2 模拟太阳光谱下的电流特性 |
| 4.2.3 光谱响应特性 |
| 4.2.4 线性动态范围 |
| 4.2.5 响应时间 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 结论 |
| 参考文献 |
| 作者简历及攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 学位论文数据集 |
四、聚合物/TiO_2分层光电导型器件的电荷传输特性（论文参考文献）
- [1]CuInSe2胶体量子点光电探测器的研究[D]. 郭瑞琪. 北京科技大学, 2021(08)
- [2]卤化物钙钛矿纳米晶的制备及光探测性能研究[D]. 曲瑞. 西北大学, 2021(11)
- [3]基于TiO2的有机无机杂化紫外探测器的研究[D]. 徐睿良. 吉林大学, 2020(08)
- [4]新型PtSe2/TiO2肖特基结紫外光电探测器[D]. 陈红云. 合肥工业大学, 2020
- [5]面向高光谱成像的钙钛矿/硫化铅量子点异质结光电探测器研究[D]. 张景越. 苏州大学, 2020(02)
- [6]溶液法制备过渡金属氧化物和（硫）碘化物及其光电探测器研究[D]. 孙林. 东华大学, 2019(05)
- [7]基于SnO2@TiO2纳米核壳结构光电化学紫外探测器的研究[D]. 王宝. 哈尔滨工业大学, 2019(02)
- [8]基于自耗尽效应的异质宽禁带半导体紫外探测器的研究[D]. 张德重. 吉林大学, 2019(11)
- [9]钙钛矿光电探测器的研究进展[J]. 刘艳珍,李国辉,崔艳霞,冀婷,郝玉英. 激光与光电子学进展, 2019(01)
- [10]基于PEIE修饰层的高性能聚合物光电导型探测器的研究[D]. 王越. 北京交通大学, 2018(12)