一、多晶Al_2O_3薄膜的制备及工艺研究（论文文献综述）
张萌[1]（2021）在《Li、Cu共掺对NiO薄膜光电特性的影响研究》文中研究说明透明导电氧化物（TCO）薄膜材料有机地结合了物质的透明性和导电性,成为广大科研工作者探索的重点。氧化镍（NiO）是具有典型的3d电子能带结构的p型宽带隙半导体,由于NiO薄膜具有出色的光电性能,在光电子器件方面广泛应用。目前,NiO薄膜导电性能的共掺调控机制尚不清楚,有待进一步探索。为此,本文采用溶胶凝胶法,在Si衬底和蓝宝石衬底上分别进行非故意掺杂、Li掺杂和Cu-Li共掺杂NiO薄膜的制备工作,系统地研究了掺杂方式、掺杂浓度、退火温度和退火时间等因素对NiO薄膜结构和光电特性的影响。其主要研究工作和结论如下:1.研究掺杂浓度、退火温度和时间对NiO:Li薄膜导电性能以及晶粒尺寸和光学特性的影响。实验表明,NiO:Li薄膜的导电类型为p型,随着掺Li浓度的增大,电阻率先减小后趋于稳定,晶粒尺寸先增大后减小,薄膜的透过率逐渐降低。因此,Li掺杂提高了薄膜的导电性能。当退火温度升高,薄膜的电阻率先减小后增大,透过率变大,延长退火时间使薄膜的电学性能变差。500℃高温退火1h制备的NiO:10%Li薄膜沿（200）晶向择优生长,晶粒尺寸最大约为20nm,光学带隙为3.56eV,室温条件下空穴载流子浓度为5.82 ×1015cm-3,电阻率最小约为3.04×103Ω·cm,而迁移率基本不变约为0.353cm2/V·s。2.在掺10%Li的基础上成功制备了 Cu-Li共掺杂NiO薄膜。实验表明,Cu-Li共掺杂NiO薄膜没有杂质相的生成并沿（200）晶向择优生长,Cu、Li成功掺进NiO薄膜中,Cu和Li作为替位式掺杂离子替换Ni2+。因此,Cu-Li共掺后增大了 Ni3+的数量,使空穴浓度进一步提高。3.研究Cu-Li共掺、退火温度和时间对NiO薄膜光电特性的影响。结果表明,Cu-Li共掺NiO薄膜室温下呈p型导电,500℃高温退火1h制备的3%Cu-10%Li共掺NiO薄膜晶粒尺寸最大约为21.9nm,在可见光范围内的透射率约为70%,光学带隙为3.48eV,空穴载流子浓度从5.82×1015cm-3提高至1.79×1017cm-3,电阻率最小约为32.50Ω·cm,迁移率明显增大约为1.074cm2/V·s。
张振云[2]（2021）在《钙钛矿光伏电池的掺杂及界面调控研究》文中认为钙钛矿材料以优异的光吸收能力、小激子结合能及高载流子迁移率等优点活跃在研究者的视野中。以钙钛矿材料为核心的光伏电池由于效率高、制备简单及可柔性应用等特点成为非常有前景的新型太阳能电池。然而由于钙钛矿结晶性难控制、电子传输层缺陷多及界面复合严重等问题,限制了其大规模应用与发展。本论文围绕光生电荷的产生与分离这一关键问题,以电子传输层材料优化、钙钛矿晶体质量的提高及界面调控为出发点,实现了钙钛矿电池性能的提升。首先,筛选了具有合适离子半径的金属元素,对电子传输层材料进行掺杂,实现了缺陷钝化、电子传输层/钙钛矿吸光层的能级排列优化及器件光响应能力的同时调控,提高了电子传输层对光生电荷的抽离效率。其次,对钙钛矿进行掺杂处理并在电子传输层和钙钛矿吸光层之间沉积钝化层,获得了高质量的钙钛矿薄膜并改善界面,促进了光生电荷的产生以及在钙钛矿层/电子传输层界面的高效分离。再次,系统比较了挥发性和非挥发性乙酸盐对钙钛矿结晶性的影响,从而制备出致密平整、大晶粒尺寸和低缺陷态密度的高质量钙钛矿薄膜,改善了钙钛矿/碳层的接触,促进了光生电荷的产生以及在钙钛矿/碳层界面的分离。最后,通过掺杂处理电子传输层,改善了钙钛矿形貌,钝化了钙钛矿缺陷,增强了电子传输层抽离电子的能力。从而提高了载流子在界面处的分离效率,提升了无机钙钛矿电池的光电性能。采用共掺杂手段,通过一步旋涂法在TiO2致密层中引入Co和Eu元素。Co掺杂钝化了 TiO2晶格中缺陷,增强了薄膜的导电性,有利于开路电压的提高;Eu掺杂可以使TiO2电子传输层将吸收的紫外光下转移放出红光,提高了器件的光响应能力,有利于短路电流密度的提高。此外,共掺杂抬高了TiO2导带底的位置,优化了电子传输层/钙钛矿吸光层的能级排列,促进了光生电荷从钙钛矿吸光层到电子传输层的高效传输。通过精细优化掺杂浓度,最终构建的碳基钙钛矿电池光电转换效率达到14.06%,稳定性良好。这种共掺杂为同时大幅提高开路电压和短路电流密度提供了一种优化思路。通过结构设计,在碳基钙钛矿电池中的电子传输层/钙钛矿吸光层间,采用旋涂法插入Al2O3。此外,在钙钛矿前驱液中引入g-C3N4。探讨了协同调控作用对碳基钙钛矿电池的性能影响。g-C3N4使钙钛矿晶粒尺寸变大,吸光度提高,结晶性增强,并钝化了钙钛矿缺陷。器件内建电场增大,载流子分离更加高效。Al2O3可以抑制电子传输层导带上的电子发生反向迁移与钙钛矿价带上的空穴复合。通过精细优化制备参数,碳基钙钛矿电池的光电转换效率提高至14.34%,相较未优化器件,效率提高约36.6%。针对无空穴传输层碳基钙钛矿电池中钙钛矿吸光层和碳层接触差的问题,在钙钛矿前驱液中分别引入挥发性NH4Ac和和非挥发性ZnAc2,系统比较了两种乙酸盐对钙钛矿晶体质量的影响。结合原子力显微镜和场发射扫描电镜表征发现,经过NH4Ac处理的钙钛矿薄膜更加致密平整,有助于改善钙钛矿薄膜和碳层的接触,降低二者的接触势垒,空穴抽离更加高效。由于NH4Ac的引入提高了钙钛矿的结晶性并且钝化了薄膜缺陷,钙钛矿薄膜的非辐射复合大大减少。此外,NH4Ac处理过的钙钛矿,其组分没有发生变化,因此,避免了外来原子对钙钛矿结晶带来的不利影响。基于此构建的碳基钙钛矿电池光电转换效率提高了约23%,未封装的器件置于室温环境中1900h后,效率保持初始的94%。引入Al2O3层后,器件效率提高至14.65%。经过ZnAc2处理后,亦可获得大晶粒尺寸、长载流子寿命的钙钛矿,但由于非挥发性的锌盐最终在钙钛矿中有残留,钙钛矿薄膜有裂缝出现,不利于载流子的高效传输,导致器件性能提高幅度较小。针对电子传输层/无机钙钛矿界面电荷积累的问题,创新性的选取Eu（NO3）3处理SnO2电子传输层,减少了 SnO2/CsPbI2Br界面电荷的积累,研究了 Eu（NO3）3的调控机理。一方面,Eu（NO3）3的引入改善了钙钛矿形貌,钝化了钙钛矿缺陷,增强了钙钛矿结晶性。另一方面,Eu（NO3）3的引入提高了电子传输层抽离电子的能力,减少了电荷在界面的积累,抑制了光生电荷在界面处的非辐射复合,促进了光生电荷的高效传输。通过精细优化掺杂浓度,构建的无机钙钛矿电池的最高效率可达16.83%,其中,开路电压达到1.4V,开压损失低至0.52 V。
刘畅[3]（2021）在《基于等离子体辅助制程的InGaZnO薄膜晶体管的研究》文中指出近年来,基于InGaZnO（IGZO）薄膜晶体管（Thin Film transistor,TFT）的背板驱动技术,由于其具有迁移率高、大面积均匀性好、可见光透过率优异、兼容现有a-Si TFT制程以及可应用于柔性显示等优点而被众多科研机构以及公司所关注。随着IGZO TFT在有源矩阵式显示等领域的广泛应用以及对显示品质要求的不断提高,人们对IGZO TFT的制程以及性能提出了更为严苛的要求。一方面,为了满足柔性显示的驱动电路的需求,匹配柔性衬底的耐受温度以及降低研发成本,IGZO TFT的制备温度需要进一步的降低;另一方面,随着显示需求的逐步升级,高分辨率、高刷新率的显示应用对IGZO TFT的迁移率、亚阈值摆幅以及稳定性等指标提出了更高的要求。因此,本论文的主要工作以基于等离子体辅助制程的IGZO TFT为主线,利用等离子体辅助相关方法,从降低IGZO薄膜沉积温度、提高IGZO TFT器件性能、增强IGZO TFT器件的稳定性等几个角度出发,探索研究实现低制备温度、高性能、高稳定性的IGZO TFT的方法,主要研究成果包括以下内容:（1）针对IGZO TFT面向低玻璃化温度廉价柔性衬底上的应用,扩展IGZO TFT应用于柔性显示时衬底的选择范围,我们提出利用电容耦合等离子体辅助方法在100℃的后退火温度下制备了IGZO TFT。相较于未引入等离子体辅助方法所制备的IGZO TFT,在同一退火温度下引入等离子体辅助方法制备的IGZO TFT各项电学性能指标有了较大幅度的提高。我们利用这一方法,在40 W辅助等离子体功率、100℃的后退火温度条件下,获得了迁移率高达26.03 cm2/V·s,阈值电压为2.00 V,亚阈值摆幅为0.33 V/decade的高性能IGZO TFT。为了进一步调控利用电容耦合等离子体辅助方法制备的IGZO TFT的电学特性,我们引入了低温制备的组分可调缓冲层对IGZO TFT中的栅介质层进行修饰,这种组分可调的栅介质缓冲层是利用电感耦合-等离子体增强化学气相沉积系统在70℃的条件下实现沉积,通过控制沉积过程中的O2流量,可以对栅介质缓冲层的成分进行调节。在后续的等离子体辅助制备IGZO沟道层的过程中,这种栅介质缓冲层中的H原子可以在辅助等离子体轰击的作用下掺杂至正在沉积过程中的IGZO薄膜内,从而改善了IGZO TFT的电学性能。此外,在IGZO TFT制备的后退火过程中,在浓度梯度的作用下,栅介质缓冲层中残留H原子也可以通过扩散作用掺杂至IGZO薄膜中。我们所提出的这一方法所研制的IGZO TFT具有工艺温度低、电学性能优异的特点,为未来高性能柔性显示提供了一种全新的思路。另一方面,我们还利用电容耦合等离子体辅助方法同时结合高Zn组分的IGZO,在无需后退火的条件下,成功制备了具有C轴结晶取向的IGZO TFT,然而受限于这种方法所制备薄膜的Zn含量较高,迁移率仅有6.05 cm2/V·s,其性能有待进一步提高。（2）目前,由于未钝化的IGZO TFT普遍存在的空气中偏压稳定性的问题,我们针对IGZO TFT产生阈值电压漂移问题的根源—背沟道水氧吸附进行了研究。我们提出利用电感耦合—等离子体增强化学气相沉积法,以HMDSO为前驱体在大约80℃的温度下制备了有机硅薄膜作为IGZO TFT的背沟道钝化层。得益于这种背沟道钝化层对水氧的优良阻隔特性,在引入了背沟道钝化层后IGZO TFT的正负偏压下阈值电压漂移现象得到了明显的改善,并且在偏压测试后展现了良好的恢复特性。针对在负偏压稳定性的测试过程中观察到的Ids电流异常现象,我们从陷阱捕获/发射的角度对这一现象进行了详细阐述。此外,我们利用在沉积背沟道钝化层过程中由前驱体HMDSO的氧化分解引起的H掺杂效应,实现了IGZO TFT电学特性的提高。相较于未使用有机硅钝化层的IGZO TFT,器件的迁移率从11.99 cm2/V·s提高至17.78 cm2/V·s,亚阈值摆幅从0.63 V/decade降低至0.41 V/decade,而开关比则从106提高至107。我们利用傅立叶红外光谱,动态二次离子质谱等多种表征手段详细分析了性能提高的内在机理。这种利用有机硅作为钝化层的方法具有工艺温度低、可见光透过率高兼容全透明TFT、稳定性好等优点,为实现稳定的高性能IGZO TFT提供了一种新的方法。（3）为了满足对IGZO TFT的日益提高的性能需求,进一步降低亚阈值摆幅等关键电学指标,我们提出利用电容耦合等离子体氧化SiNx栅介质的方法大幅降低了IGZO TFT的亚阈值摆幅。在引入了等离子氧化SiNx栅介质后,我们获得了亚阈值摆幅仅有0.097 V/decade的低亚阈值摆幅IGZO TFT。通过对SiNx表面的X射线光电子能谱（XPS）测试结果进行分析我们发现,引入等离子氧化SiNx栅介质过程后,会在SiNx表面形成一层富氧层,通过角分辨XPS对SiNx/IGZO界面附近进行测试,证明了这一预植入的富氧层可以有效地抑制SiNx/IGZO界面处的氧空位的形成,从而降低了SiNx栅介质与IGZO沟道层界面处的缺陷态密度。除此之外,我们还对引入等离子体氧化栅介质前后的IGZO TFT在光照条件下的负偏压稳定性进行了测试。测试结果表明,得益于SiNx/IGZO界面处的氧空位的减少,引入等离子体氧化SiNx栅介质层的IGZO TFT在7200 s负偏压光照测试后阈值电压漂移量从-4.75 V大幅降低至-0.37 V。而我们利用电导法对界面处的缺陷态密度进行了测量估算,进一步证明了等离子体氧化SiNx栅介质过程的引入可以使得界面缺陷态密度降低,从而令IGZO TFT的电学性能以及稳定性有了大幅度的提高。（4）在我们对IGZO TFT的研究过程中,发现国际上不同课题组所制备的结构相近的IGZO TFT所获得的亚阈值摆幅不尽相同,离散程度很高,通过进一步对不同栅介质材料以及亚阈值摆幅的相关工作进行统计分析,我们发现亚阈值摆幅与栅电压的采样间隔呈现一定的变化规律。为了探究出现这一现象的原因,我们利用了不同的栅电压采样间隔对制备的IGZO TFT进行了测试,并通过泰勒展开对前向差分以及中心差分法提取的亚阈值摆幅进行了分析,解释了出现上述离散现象的原因。此外,我们提出了一个兼顾测试效率以及测试准确性的栅电压采样间隔的经验公式,对同行的相关工作提供了一定参考作用。
谭毅成[4]（2021）在《耐等离子体刻蚀钇基复合陶瓷的制备及其性能研究》文中研究指明等离子刻蚀技术是选择性去除晶圆表面物质的一个重要工艺过程,是现代集成电路制造领域不可缺少的工艺步骤。等离子刻蚀目的是在涂胶的晶圆上高效地复制掩膜图形,通过化学和物理过程选择性地从晶圆表面去除不需要的材料,从而形成微电路。随着集成电路技术的高速发展,等离子体刻蚀技术逐渐成为纳米量级的集成电路制造和微纳制造工艺中广泛应用的刻蚀技术。随着刻蚀气体中含氟等离子体能量的提高,高能含氟等离子体会侵蚀腔体和腔体内部件,缩短部件的使用寿命;同时腐蚀过程中会生成难挥发的氟化物沉积在晶圆表面,同时也增加了晶圆的污染。因此,刻蚀机腔体和腔体部件材料的耐等离子体刻蚀性能变得至关重要,研究陶瓷材料的等离子体刻蚀机理以及制备优异的耐等离子体刻蚀性能陶瓷材料具有十分重大的意义。当前,广泛应用的陶瓷腔体材料集中于氧化钇陶瓷,高纯Y2O3材料成本高且机械强度低,它的断裂韧性和抗弯强度分别只有1.1 MPa.m1/2和130 MPa,这使得刻蚀机腔体部件在制造、运输或使用的时候容易损坏腔体内壁的高纯Y2O3材料,而99.9%Al2O3的断裂韧性和抗弯强度高达5-6 MPa·m1/2和400 MPa及99.9%ZrO2的断裂韧性和抗弯强度分别达4-5 MPa·m1/2和1000 MPa。本文在Y2O3粉体中混入一定比例的ZrO2或Al2O3,以此来制备锆增韧或铝增韧的钇基复合陶瓷（细分为钇锆复合陶瓷和钇铝复合陶瓷）并降低材料制造成本。本课题通过对比陶瓷在等离子刻蚀环境前后的质量损失率以及表面粗糙度变化,分析刻蚀前后陶瓷表面形貌和电子结合能变化,深入研究钇基复合陶瓷在等离子体环境中的刻蚀行为。本文的主要研究内容及重要结论如下:（1）通过物理溅射实验,研究了刻蚀后的质量损失、表面形貌与Y2O3/ZrO2或Y2O3/Al2O3比值之间的相互关系以及Ar等离子体与陶瓷表面发生的反应过程。确定了刻蚀后的质量损失率与Y2O3/ZrO2或Y2O3/Al2O3比值之间的非线性对应关系,且Ar等离子体与陶瓷表面发生的是纯物理反应过程,溅射出的物质为化合物颗粒。（2）通过物理刻蚀研究,对公认的Sigmund溅射理论进行了深入分析和研究,论证了钇基复合陶瓷在Ar等离子体环境中的耐溅射性取决于化合物的表面结合能这一重要事实。（3）通过化学刻蚀实验,研究了刻蚀后的质量损失、表面形貌与Y2O3/ZrO2或Y2O3/Al2O3比值之间的相互关系以及CF4等离子体与陶瓷表面发生的反应过程。确定了刻蚀后的质量损失率与Y2O3/ZrO2或Y2O3/Al2O3比值之间的非线性对应关系,且CF4等离子体与陶瓷表面发生了化学反应,利用刻蚀表面元素电子结合能的变化确认了化学反应产物,而化学反应产物的表面升华焓和沸点直接决定陶瓷材料的耐化学刻蚀性能。（4）利用渗流理论对钇基复合陶瓷在等离子环境中的质量损失进行了仿真。仿真结果表明当ZrO2或Al2O3的含量超过某一阈值时,钇基复合陶瓷的质量损失率将发生突变,这与实测质量损失率随ZrO2或Al2O3的变化趋势是一致的。
支钰崧[5]（2021）在《氧化镓薄膜及日盲紫外阵列传感器件研究》文中进行了进一步梳理随着半导体技术的发展,宽禁带半导体以其较大的禁带宽度、较高的击穿场强、更高的电子饱和速率和更低的能量损耗而逐渐被应用于半导体照明、电力电子器件和紫外光电子器件等领域。其中氧化镓作为一种新型宽禁带半导体材料也在近几年受到了越来越多研究人员的关注。氧化镓的带隙宽度约为4.9 eV,其吸收边位于270 nm附近,因此对日盲区（200～280nm）波段的紫外辐射有着良好的光电响应,是一种很好的制备日盲紫外光电传感器的半导体材料。随着研究的逐渐深入,人们也希望逐渐将这种新型日盲紫外光电传感器逐渐应用到紫外成像、遥感监测、光源追踪等领域,因此多像素、集成化、小型化的氧化镓传感器阵列正逐渐成为人们的研究热点,然而目前关于氧化镓探测器阵列这方面的研究尚处于起步阶段。因此,制备具有较好光电传感性能的氧化镓薄膜,并在此基础上逐步制备出较大像素、不同类型、多种用途的阵列探测器的相关工艺需要进一步的研究。本论文主要采用金属有机化学气相沉积和脉冲激光沉积两种薄膜制备技术生长了氧化镓薄膜,通过微加工制备了不同结构的氧化镓日盲紫外传感器阵列,并对后续探测器阵列的工艺及材料选择进行了一定的探索。具体工作如下:（1）先后沉积了非故意掺杂的氧化镓薄膜和硅掺杂的氧化镓薄膜,并分别测试了两者对应的光电响应性能。测试发现,纯氧化镓薄膜具有较好的光电响应速度（τd～38ms）、较好的线性度和适中的响应度（10 V下约17 A/W）。掺硅的氧化镓薄膜则具有较大的光电流、响应度和较好的线性关系。此外,我们还研究了沉积掺锡氧化镓薄膜过程中生长条件对晶体结构和表面形貌的影响,发现薄膜晶体结构随着锡浓度的升高可能按照ε相→+β混合相→β相的规律逐渐转变,真空条件下薄膜的表面呈纳米线形状,氧压条件下薄膜表面比较平整,更适合用来微加工制备二维面列结构的探测器阵列。（2）在两英寸氧化镓薄膜上制备了非对称叉指电极结构的氧化镓日盲紫外探测器阵列。测试发现:该器件对254 nm的紫外辐照具有明显的响应,其254nm/365 nm的响应抑制比～104。此外器件具有一定的自供电效应,在-10 V时,器件的响应度为0.3 A/W,光暗比高达为107;在0V时,器件具有更快的响应时间（τr/τd～0.29/0.05 s）。所有器件光响应性能的均一性较好。分析发现该器件的自供电效应可能来源于肖特基结中内建电场对非平衡载流子的分离和驱动作用。（3）设计并制备了16×4的一维长线列结构的氧化镓探测器阵列,测试发现:该器件的光暗比高达3.06×107,器件在10 V偏压下的响应度高至243.66 A/W,响应时间约为0.05 s,器件在各个偏压和光强条件下均具有良好的光电响应特性。此外我们发现该线列探测器各探测元的光电响应性能都具有较好的均一性。（4）先后设计并制备了两种电极结构（对称叉指和非对称叉指）的多像素阵列探测器,探索了所需的制备工艺并测试了器件的相关光电性能。研究了 BaTiO3/Ga2O3和In2O3/Ga2O3异质结这两种异质结的能带匹配,测试发现两种异质结均为嵌套型Ⅰ型异质结,说明BaTiO3和In2O3薄膜都可能可以作为势垒过渡层改善氧化镓和金属之间的欧姆接触。
路畅[6]（2021）在《二氧化钒太赫兹特性及其器件研究》文中研究指明二氧化钒（VO2,Vanadium dioxide）在接近室温时（341K）会发生可逆的绝缘-金属转变（IMT,Insulator-Metal Transition）,并伴随着在太赫兹（THz,Terahertz）波段显着的透射率变化,因此被广泛用于制备具有动态调制效果的THz器件。近些年来对VO2薄膜生长机理的研究进展迅速,降低了具有高调制性能的VO2薄膜的制备成本,为VO2薄膜在THz可调谐器件中的应用扫清了障碍。因而,探索VO2薄膜在THz波段的调制现象的物理机制,优化其动态调制性能,扩展VO2薄膜在THz可调谐器件中的应用场景,具有十分重要的研究意义。据此,本文从VO2薄膜的IMT机制入手,重点研究了相变过程中金属畴与绝缘畴的共存现象及其对渗流阈值的影响。随后,介绍了Co（Cobalt,钴元素）掺杂对VO2薄膜THz调制特性的优化。之后通过将VO2薄膜与金属超结构复合,探索VO2薄膜在THz可调谐超材料中的应用。然而,研究发现VO2薄膜的固有物理性能限制了复合超结构的动态THz调制性能,而人工设计的可重构结构可以打破这一限制,因此,本文最后部分研究了将VO2复合超表面与柔性电子工艺结合的可行性,并验证了柔性亚波长单轴波纹结构对VO2复合超结构THz响应的调制作用。本论文的主要研究内容如下:1.通过将VO2薄膜相变过渡阶段的金属畴和绝缘畴体积分数的变化与薄膜的THz复电导率变化相结合,研究了IMT转变过程中VO2薄膜畴与畴之间的载流子输运机制。证明了在VO2薄膜金属相和绝缘相共存的非均匀体系中,IMT过程不仅是一个渗流转变过程,而且受到来自于金属畴边界的载流子弱约束效应的高度影响。这种约束效应阻碍了载流子的扩散,抑制了整个薄膜的有效THz电导率。因此,仅接近渗滤阈值（50%体积分数的相变）,即形成载流子长程输运通路,不足以使VO2薄膜在THz频率范围内达到有效的调制效果。为了减弱相畴壁产生的约束效应,金属畴的体积分数需要达到更大值,这就解释了在热致相变过程中观察到的THz电导率转变过程远远滞后于拉曼显微镜测得的结构相变过程的现象。2.在将VO2薄膜应用于可调谐THz器件时,VO2薄膜的THz调制性能是器件动态调制性能的基础。在研究中发现,通过将Co掺杂到外延的VO2薄膜中,可以获得具有较低的临界温度、较大的调制深度和较窄的过渡窗口的VO2薄膜,这将有利于VO2薄膜在THz开关器件中的应用。在实验中,使用高分子辅助沉积法在M-Al2O3上沉积120 nm厚的Co掺杂VO2薄膜,当掺杂量达到4.0 at.%时,VO2薄膜经过极窄（3℃）的过渡窗口后就可以达到了77%的THz调制比。此外,通过X射线衍射分析发现,掺杂量过高（>4.0 at.%）会导致VO2薄膜中出现两种不同的相,导致THz调制率的下降。基于有效介质理论分析,可以认为在测试的温区,新出现的富Co元素的相不会发生IMT,一直保持对THz波高透过率,不具备THz开关调制能力。因此当掺杂量过高时,随着Co元素掺杂量的增大,富Co相占比增加,Co掺杂薄膜的THz调制比持续下降,而整体IMT临界温度没有发生变化。该研究基于相分离现象,对过渡金属掺杂对VO2的IMT的调制机制提出了新的见解,将有利于扩展掺杂VO2薄膜在THz领域的应用。3.将VO2薄膜与THz金属超表面复合可以获得谐振频率可调的THz超表面。实验中,将开口谐振环阵列与VO2多晶薄膜复合后,获得了THz开关调制比优于纯VO2薄膜的THz超表面。纯的多晶VO2薄膜THz调制比可以达到～43%,而将VO2薄膜与开口谐振环阵列复合后,在0.5 THz和0.9 THz处,复合超材料在VO2薄膜相变前后的调制深度达到了60%。使用电磁仿真软件对超结构中VO2薄膜IMT引入的动态传输特性的进行了分析,可以发现,VO2薄膜THz电导率的增大,以及介电常数的增加,对超结构的THz响应形成了明显的调制效果。4.通过将亚波长柔性波纹结构与VO2复合超结构结合,设计出具备机械-温度双响应模式的超宽带频率可调的THz超材料。VO2复合超结构的调制性能来源于相变材料的物理性能,因此将VO2复合超结构由常见的固定结构设计为可重构可形变的柔性结构,可以引入额外的THz可调谐性能。本研究将柔性单轴波纹结构与VO2复合超结构结合,有效地对超结构单元的空间排布进行可逆的调控。实验结果发现,基于VO2薄膜的IMT调控,只能使谐振频率从1.7 THz降低到1.4 THz,而对超结构施加拉伸应变后,可以实现超结构谐振频率从1.7 THz升高到2.1 THz。实验证明了制备的柔性THz超结构的响应,可以由基于材料的IMT调控和基于柔性化设计的结构调控同时实现,这大大拓展了可调谐超材料的功能性。本论文的研究成果有望提升研究者对VO2薄膜THz调制现象的理解,并将柔性电子工艺与可调谐超材料相结合,扩展了基于VO2薄膜的THz调制器件的功能与应用范围。
乔宝石[7]（2021）在《氧化镓基光电器件的制备及内部机制研究》文中认为由于臭氧层的吸收,200 nm-280 nm的太阳光无法到达地面,在距离地面十几千米高度以内的空间形成了一个盲区。针对这个波段的紫外光电探测,无需担心来自太阳光的干扰,在局域保密通信、火灾预警、高压线检修等方面已经展现出重要的应用价值。在众多日盲紫外探测材料中,氧化镓具有本征日盲,稳定性好,击穿电压大等优点从而受到人们的关注。但对氧化镓光电探测器内部增益机制以及诸多奇妙的光电特性研究还不够深入。本文通过MOCVD方法,结合热处理、等离子体处理等手段,制备了氧化镓超高性能光电探测器,氧化镓基光控忆阻器等多功能的光电器件,对其内部增益及相关光电过程进行了一系列研究,主要内容和结果如下:1.通过MOCVD在c面蓝宝石上外延氧化镓薄膜材料,通过热退火过程调控材料的光学和电学性能,在此基础上制备了具有抑制比(R254nm/R365nm)高达107、响应度达46 A/W、响应速度达到26.7μs的光电探测器。将氧化镓紫外探测器件的高灵敏度归结为在光照下电极遮挡的高阻区域发生了碰撞离化增益所导致。本工作为高抑制比光电探测器件研发提供了新途径。2.通过MOCVD在预制非晶氧化铝成核层的（111）面低阻p-硅上生长了多晶氧化镓薄膜,并制备了紫外探测器。通过500μs的0 V脉冲擦除持续光电流,实现了探测器响应速度的调控。光电特性研究表明,器件内部增益机制和光电流猝灭来自于氧空位构成的导电细丝的形成和崩灭。该机制为高增益、高速光电器件研究提供了新方向,并在易失性光电存储展现出一定潜力。3.采用MOCVD方法在蓝宝石上生长了氧化镓薄膜,通过退火和射频氮等离子体选区调控氧化镓材料导电性,原生氧化镓材料在射频等离子体处理后电导率提高了6个数量级以上,并且通过低温退火的方式可以使得氧化镓材料返回高阻状态。光谱研究表明,在射频等离子体作用下,氧化镓材料内部氧空位被激活从而提高了导电性。基于该工作制备了氧化镓同质结光电探测器。实现了具有光写入、电擦除的非易失性日盲光电存储功能。
赵博文[8]（2021）在《Sb2Se3薄膜的光电特性调控研究》文中研究表明作为一种稳定的硫属化合物半导体,硒化锑（Sb2Se3）具有毒性小、成本低、原材料丰富、结晶温度低、光吸收系数大的优点,在光电子器件领域备受关注。在光电子器件中,随着碳达峰和碳中和要求的落实,作为一次能源的主要形式之一,低成本太阳能电池技术大发展越来越重要;由于暗夜环境中存在月光、星光、大气辉光所产生的微弱夜天辐射,而夜天辐射的大部分能量集中在近红外波段,利用物体对近红外夜天光的反射成像成为微光夜视的最常用手段。为此,本论文以太阳能电池和光电探测器两种典型光电子器件作为切入点,对Sb2Se3薄膜制备、材料特性、器件结构进行了深入研究。根据敏化太阳能电池的结构特点,论文创新性地将连续离子层吸附与反应方法（SILAR）引入到Sb2Se3薄膜制备研究中,在Sb2Se3薄膜微观结构及光电性能研究基础上,成功构建了Sb2Se3敏化太阳能电池,并通过界面特征的优化,进一步改善了器件性能。研究发现:由于二氧化钛介孔层（M-TiO2）层本身缺陷态密度大,且生长在M-TiO2内部和间隙处的Sb2Se3薄膜覆盖度较低,导致M-TiO2与电解质溶液直接接触,继而降低器件电荷传递效率。为此,论文采用TiCl4水溶液对M-TiO2层进行了表面处理,并以TiO2薄层的形式沉积在M-TiO2层表面,不仅有效钝化了表面缺陷,降低了器件的电荷复合速率,而且经处理后的M-TiO2薄膜优化了Sb2Se3的生长条件,提高了薄膜覆盖率,并通过对SILAR法所制备Sb2Se3薄膜工艺参数的优化,最终将器件光电转换效率提升至1.22%。在上述工作基础上,本论文进一步在M-TiO2和Sb2Se3之间引入Cd Se界面修饰层。研究发现:Cd Se界面修饰层的引入,不仅进一步钝化了M-TiO2的界面缺陷,减少电荷复合,而且还与M-TiO2形成偶极层,降低了M-TiO2的表面功函数,提高光生电子的注入和传递效率,并得益于Cd Se本身特有的吸光特性,拓宽了光吸收波段,使器件光电转换效率提升至1.96%。根据近红外光电探测器件的性能要求,采用物理气相沉积（PVD）方法制备出高质量的Sb2Se3薄膜,并研制出了光电导结构及Sb2Se3/Bi2Se3异质结二极管结构的近红外光电探测器。由于热蒸发制备Sb2Se3薄膜所存在的Se空位,且Si衬底会受Se蒸汽的腐蚀,通过引入F等离子体对Sb2Se3薄膜进行了表面处理。研究发现:一方面,F离子以Sb-F键的形式进入Sb2Se3晶格内部,填补了Se空位,从而提升了Sb2Se3薄膜的电导率;另一方面,F等离子体有效融合了Sb2Se3薄膜的晶界,提高了电荷传输效率;经对F等离子体处理参数的优化,获得了优异的光电响应特性,在870 nm波长近红外光源照射下,光响应度达到35.42 A W-1,探测率达到4.89×1011Jones,外量子效率达到5.06×103%,器件响应时间特性的上升及下降时间分别为21.4 ms和22.1 ms。虽然,F等离子体表面处理对Sb2Se3薄膜光电响应特性有所改善,但器件响应速度仍然偏慢,而且Se空位补偿的最有效办法是在薄膜制备过程中提供过量的Se束流。基于此,本论文采用蓝宝石作为衬底生长Sb2Se3薄膜,并比较了C面蓝宝石和R面蓝宝石对所生长Sb2Se3薄膜光电响应特性的影响。研究发现:两种蓝宝石衬底上所生长Sb2Se3薄膜均呈现多晶特征,虽然其择优取向有所不同,但其表面形貌和光电性能差异不大;与Si衬底表面所生长Sb2Se3薄膜相比,在蓝宝石表面所生长Sb2Se3薄膜的（120）衍射峰强度更大,这反映了:在蓝宝石表面所生长Sb2Se3薄膜中,存在[Sb4Se6]n长链平行于衬底堆叠的微观结构特征,这有利于电子在偏压驱动下平行于衬底方向的输运,从而获得更快的光电响应速度,两蓝宝石器件的上升和下降时间均达到了百微秒量级。在Sb2Se3薄膜光电导特性研究基础上,为了进一步提升器件的光电性能,本论文在Sb2Se3薄膜表面生长了高质量Bi2Se3薄膜,原位构筑了Sb2Se3/Bi2Se3异质结光电探测器。通过对异质结附近能带结构进行分析,发现:Bi2Se3/Sb2Se3异质结呈现出Ⅱ类界面能带特征,为光生载流子空间分离提供了驱动力;对Bi2Se3/Sb2Se3异质结二极管的光电响应特性测量结果显示:在0 V偏压下,器件依然能够稳定的光生电流,呈现出光伏器件特征,在870 nm波长近红外光源照射下,器件的光响应度为1.01 m A W-1,探测率为1.06×1010 Jones,光暗电流比为1.72×103,响应时间特性的上升时间和下降时间分别为28μs和155μs。
李康[9]（2021）在《基于钛锆氧薄膜的电荷俘获存储器的制备及性能研究》文中认为随着半导体存储技术的发展,浮栅结构的闪存成为非易失性存储器领域的主流产品,但由于其尺寸逐渐接近物理极限,因此尺寸小、读写速度快、存储密度高、操作电压低、数据保持能力和抗疲劳能力强的新型非易失性存储器已成为研究热点。多晶硅-氧化硅-氮化物-氧化硅-硅衬底（SONOS）型电荷俘获存储器由于其优异的可扩展性、高密度等优点,在半导体存储器的应用中极具开发潜力。并且大量研究工作将高介电常数（high-k）材料引入SONOS型电荷俘获存储器中,来改善器件的存储性能。本文提出了一种high-k复合氧化物（TiO2）0.2（Zr O2）0.8（TZO）作为器件的电荷俘获层,利用脉冲激光沉积技术（PLD）制备了p-Si/Al2O3/TZO/Al2O3/Pt结构的新型非易失性电荷俘获存储器,研究并分析了器件的电学性能、微观结构以及能带结构,重点探究了快速热处理对器件存储窗口的影响。主要内容如下:1.制备了TiO2与ZrO2的混合陶瓷靶材,其摩尔比为1:4。利用高介电常数的TZO复合氧化物作为电荷俘获层,Al2O3作为隧穿层和阻挡层,成功制备了p-Si/Al2O3/TZO/Al2O3/Pt结构的新型电荷俘获存储器件。利用PLD技术在p-Si衬底上生长了Al2O3薄膜和TZO薄膜,并通过对不同衬底温度条件下制备的样品进行XRD测试,确定了在300℃、350℃、400℃下生长的Al2O3薄膜和TZO薄膜均为非晶态。对样品进行AFM测试,结果表明300℃和350℃生长的TZO表面均已具有原子级的平整度;而400℃温度下生长的TZO薄膜RMS为2.031nm,表面较为粗糙。2.对制备的TZO存储器件进行电学性能的测试。未经过退火处理的器件在±4V的扫描电压下具有1.04V的存储窗口。对于在O2气氛中、800℃下经过90s快速退火处理的器件,当扫描电压为±4V、±6V、±8V、±10V和±12V时,对应的存储窗口分别为2.5V、5.2V、8.5V、11.9V和15.5V。该器件在±12V的扫描电压下的电荷存储密度Nt约为1.55×1013cm-2。然后探究了退火温度、退火时间对TZO器件存储窗口的影响。在±8V扫描电压下,700℃和900℃退火的器件,其存储窗口比800℃退火的器件小很多,仅有3.92V和0.24V。另一方面,在800℃下退火60s、90s、120s的器件的存储窗口分别为7.12V、8.5V、1.84V,对应的电荷俘获密度分别为9.61×1012 cm-2、8.48×1012 cm-2和2.74×1012 cm-2。3.通过XRD图谱分析,发现TZO薄膜经过高温快速退火后出现了结晶峰,与四方ZrO2的（003）晶面对应。XPS分析结果表明高温快速退火后,Zr3d3/2和Zr3d5/2峰朝着结合能低的方向移动,与未退火的薄膜相比具有0.3e V的偏移量。对样品Ti元素的XPS图谱进行分峰拟合,发现退火后在结合能位于454.3e V处有一个较弱的峰,它属于Ti3+-O键。证明经过800℃快速退火的TZO薄膜中存在Ti3+和Ti4+,这有助于提高复合介质的电荷俘获能力。
吕欣[10]（2020）在《TOPCon型N-PERT双面太阳电池工艺技术的研究》文中指出光伏产业作为能源转型和落实能源生产与消费革命的决定力量之一,产品的降本增效是我国实现光伏平价上网的基础,而研制新结构、开发新工艺一直是光伏电池生产制造中的重要环节。TOPCon型N-PERT高效电池相比传统P型晶体硅电池具有少子寿命高、无光致衰减及温度系数小等优点,是当前光伏电池技术研究的热点之一。本文对TOPCon型N-PERT双面电池开展模拟设计、关键技术研究及工艺优化等,主要内容如下:1.对影响电池性能的关键部分开展模拟设计,初步确定了电池结构的基础参数,结果为电池结构前表面采用70 nm的SiNx:H减反射膜层,2 nm的Al2O3层,1～2 nm的SiO2层;背表面采用80 nm的SiNx:H减反射膜层,120 nm磷掺杂的多晶硅层及1.2 nm的隧穿氧化层。2.对硼扩散工艺开展研究与优化,通过降低发射极饱和电流密度和发射极-金属接触电阻率得到最佳扩散工艺,优化后方块电阻的标准差从最初的5.12Ω/□降低为2.56Ω/□。同时通过对前表面钝化机理的系统研究,确定最佳钝化叠层组合为SiO2/Al2O3/SiNx:H。3.研究了本征Poly-Si层沉积、隧穿氧化层生长及Poly-Si层的掺杂工艺,结果表明为了得到最优电池转换效率,隧穿氧化层地最佳厚度为1.2 nm,最佳离子注入剂量为3.5e+15 cm-2,Poly-Si层的掺杂浓度为2～3×1020cm-3时,且磷掺杂源在背表面n-Si中形成一定的扩散“带尾”态时,背表面具有最优的钝化水平,电池转换效率平均值可达到22.44%。4.通过研究BOE清洗、背面印刷方式及金属化工艺等对电性能的影响,实现了工艺匹配与优化,数据显示TOPCon电池结构相比常规N-PERT电池结构可实现1%转换效率的提升。
二、多晶Al_2O_3薄膜的制备及工艺研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、多晶Al_2O_3薄膜的制备及工艺研究（论文提纲范文）
（1）Li、Cu共掺对NiO薄膜光电特性的影响研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 NiO的基本特性 |
| 1.2.1 NiO的晶体结构 |
| 1.2.2 NiO的光电特性 |
| 1.3 国内外研究进展 |
| 1.4 论文的研究内容及结构安排 |
| 2 薄膜制备及表征方法 |
| 2.1 NiO薄膜的制备 |
| 2.1.1 实验材料及仪器介绍 |
| 2.1.2 溶胶的制备 |
| 2.1.3 薄膜的制备 |
| 2.1.4 样品热处理 |
| 2.2 NiO薄膜的表征方法 |
| 2.2.1 薄膜结构特性测试及原理 |
| 2.2.2 薄膜光学性能测试 |
| 2.2.3 薄膜电学性能测试 |
| 2.3 本章小结 |
| 3 NiO:Li薄膜光电特性的研究 |
| 3.1 薄膜的结构表征 |
| 3.2 薄膜的光学性能 |
| 3.2.1 掺杂浓度对NiO:Li薄膜光学特性的影响 |
| 3.2.2 退火温度对NiO:Li薄膜光学特性的影响 |
| 3.2.3 退火时间对NiO:Li薄膜光学特性的影响 |
| 3.3 薄膜的电学性能 |
| 3.3.1 掺杂浓度对NiO:Li薄膜电学特性的影响 |
| 3.3.2 退火温度对NiO:Li薄膜电学特性的影响 |
| 3.3.3 退火时间对NiO:Li薄膜电学特性的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 Cu-Li共掺NiO薄膜光电特性的研究 |
| 4.1 薄膜的结构表征 |
| 4.2 薄膜的光学性能 |
| 4.2.1 Cu-Li共掺杂浓度对NiO薄膜光学特性的影响 |
| 4.2.2 退火温度对Cu-Li共掺NiO薄膜光学特性的影响 |
| 4.2.3 退火时间对Cu-Li共掺NiO薄膜光学特性的影响 |
| 4.3 薄膜的电学性能 |
| 4.3.1 Cu-Li共掺浓度对NiO薄膜电学特性的影响 |
| 4.3.2 退火温度对Cu-Li共掺NiO薄膜电学特性的影响 |
| 4.3.3 退火时间对Cu-Li共掺NiO薄膜电学特性的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间主要研究成果 |
（2）钙钛矿光伏电池的掺杂及界面调控研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 引言 |
| 2 绪论 |
| 2.1 钙钛矿材料简介 |
| 2.1.1 钙钛矿的晶型 |
| 2.1.2 钙钛矿的物理化学性能 |
| 2.1.3 钙钛矿的制备方法 |
| 2.2 钙钛矿电池简介 |
| 2.2.1 太阳能电池 |
| 2.2.2 钙钛矿电池的发展 |
| 2.2.3 钙钛矿电池的结构分类与工作原理 |
| 2.2.4 碳基钙钛矿太阳能电池 |
| 2.3 钙钛矿光伏电池的研究现状 |
| 2.3.1 钙钛矿电池的掺杂研究 |
| 2.3.2 钙钛矿电池的界面调控研究 |
| 2.3.3 钙钛矿电池的稳定性研究 |
| 2.3.4 钙钛矿电池的环境和成本研究 |
| 2.4 本文的研究目的与内容 |
| 3 碳基钙钛矿电池电子传输层的掺杂调控及性能研究 |
| 3.1 实验材料及方法 |
| 3.1.1 实验试剂及材料 |
| 3.1.2 实验设备及仪器 |
| 3.1.3 实验流程及方法 |
| 3.1.4 实验测试及表征 |
| 3.2 实验结果与讨论 |
| 3.2.1 基于Co/Eu掺杂的TiO_2电子传输层结晶性分析 |
| 3.2.2 基于Co/Eu掺杂的TiO_2电子传输层元素化学态分析 |
| 3.2.3 基于Co/Eu掺杂的TiO_2电子传输层能级排列分析 |
| 3.2.4 基于Co/Eu掺杂的TiO_2电子传输层光电性能研究 |
| 3.2.5 基于Co/Eu掺杂的碳基钙钛矿电池光电性能研究 |
| 3.2.6 基于Co/Eu掺杂的碳基钙钛矿电池稳定性研究 |
| 3.2.7 Co/Eu掺杂机理研究 |
| 3.3 本章小结 |
| 4. 掺杂和界面协同调控碳基钙钛矿电池性能研究 |
| 4.1 实验材料及方法 |
| 4.1.1 实验试剂及材料 |
| 4.1.2 实验仪器及设备 |
| 4.1.3 实验流程及方法 |
| 4.1.4 实验表征及测试 |
| 4.2 实验结果与讨论 |
| 4.2.1 基于g-C_3N_4掺杂的钙钛矿吸光层表面形貌分析 |
| 4.2.2 基于g-C_3N_4掺杂的钙钛矿吸光层结晶性分析 |
| 4.2.3 基于g-C_3N_4掺杂的钙钛矿吸光层光吸收分析 |
| 4.2.4 基于g-C_3N_4掺杂的碳基钙钛矿电池的光电性能研究 |
| 4.2.5 g-C_3N_4掺杂机理研究 |
| 4.2.6 基于g-C_3N_4掺杂和Al_2O_3界面协同调控的碳基钙钛矿电池光电性能研究 |
| 4.2.7 基于g-C_3N_4掺杂和Al_2O_3界面协同调控的碳基钙钛矿电池稳定性研究 |
| 4.2.8 Al_2O_3界面调控机理研究 |
| 4.3 本章小结 |
| 5. 碳基钙钛矿电池吸光层的掺杂调控及性能优化研究 |
| 5.1 实验材料及方法 |
| 5.1.1 实验试剂及材料 |
| 5.1.2 实验仪器及设备 |
| 5.1.3 实验流程及方法 |
| 5.1.4 实验测试及表征 |
| 5.2 实验结果及讨论 |
| 5.2.1 基于NH_4Ac和ZnAc_2掺杂的钙钛矿吸光层结晶性分析 |
| 5.2.2 基于NH_4Ac和ZnAc_2掺杂的钙钛矿吸光层形貌分析 |
| 5.2.3 基于NH_4Ac和ZnAc_2掺杂的钙钛矿吸光层光电性能研究 |
| 5.2.4 基于NH_4Ac和ZnAc_2掺杂的碳基钙钛矿电池光电性能研究 |
| 5.2.5 基于NH_4Ac和ZnAc_2掺杂的碳基钙钛矿电池稳定性研究 |
| 5.2.6 乙酸盐掺杂机理研究 |
| 5.2.7 基于NH_4Ac和Al_2O_3界面协同调控的碳基钙钛矿电池光电性能研究 |
| 5.3 本章小结 |
| 6. 无机钙钛矿电池电子传输层的掺杂调控及性能研究 |
| 6.1 实验材料及方法 |
| 6.1.1 实验试剂及材料 |
| 6.1.2 实验设备及仪器 |
| 6.1.3 实验流程及方法 |
| 6.1.4 实验表征及测试 |
| 6.2 实验结果及讨论 |
| 6.2.1 基于Eu(NO_3)_3调控SnO_2电子传输层对CsPbI_2Br形貌影响 |
| 6.2.2 基于Eu(NO_3)_3调控SnO_2电子传输层对CsPbI_2Br光学性能及结晶性影响 |
| 6.2.3 基于Eu(NO_3)_3调控的CsPbI_2Br钙钛矿电池光电性能研究 |
| 6.2.4 基于Eu(NO_3)_3调控的CsPbI_2Br钙钛矿电池稳定性研究 |
| 6.2.5 Eu(NO_3)_3调控机理研究 |
| 6.3 本章小结 |
| 7 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历及在学研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（3）基于等离子体辅助制程的InGaZnO薄膜晶体管的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 TFT的发展 |
| 1.1.1 氢化非晶硅TFT(a-Si:H TFT) |
| 1.1.2 低温多晶硅TFT(LTPS TFT) |
| 1.1.3 IGZO TFT |
| 1.2 IGZO TFT的结构以及工作原理 |
| 1.2.1 IGZO TFT的结构 |
| 1.2.2 IGZO TFT的工作原理 |
| 1.3 IGZO TFT的主要参数 |
| 1.3.1 场效应迁移率 |
| 1.3.2 阈值电压 |
| 1.3.3 开关比 |
| 1.3.4 亚阈值摆幅 |
| 1.3.5 偏压稳定性 |
| 1.4 IGZO TFT的研究进展 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 |
| 第二章 等离子体辅助低温制备IGZO TFT的研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 器件的制备 |
| 2.3 等离子体辅助低温制备高性能IGZO TFT的研究 |
| 2.3.1 等离子体辅助制备IGZO TFT的电学特性 |
| 2.3.2 辅助等离子体对IGZO TFT电学特性的影响机理研究 |
| 2.4 低温制备有机硅栅介质缓冲层对IGZO TFT性能影响的研究 |
| 2.4.1 不同O_2流量沉积的栅介质缓冲层对IGZO TFT电学特性的影响 |
| 2.4.2 栅介质缓冲层对IGZO TFT电学特性的影响机理研究 |
| 2.5 等离子体辅助低温制备C轴结晶IGZO TFT的研究 |
| 2.5.1 Zn含量以及等离子体功率对IGZO C轴结晶的影响 |
| 2.5.2 O_2浓度对等离子体辅助制备C轴结晶IGZO的影响 |
| 2.5.3 C轴结晶IGZO TFT的电学特性 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 ICP-PECVD低温制备有机硅背沟道钝化层(PVL)对IGZO TFT电学特性的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 器件的制备 |
| 3.3 有机硅背沟道PVL对 IGZO TFT电学性能的影响 |
| 3.4 H掺杂的机理研究 |
| 3.5 有机硅PVL对 IGZO TFT偏压稳定性的影响 |
| 3.5.1 PVL对 IGZO TFT的正栅偏压稳定性(PBS)的影响 |
| 3.5.2 PVL对 IGZO TFT的负栅偏压稳定性(NBS)的影响 |
| 3.5.3 NBS过程中的源漏电流异常及其形成机理的研究 |
| 3.5.4 IGZO TFT偏压测试后的恢复特性 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 等离子体氧化SiN_x栅介质对IGZO TFT电学特性的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 器件的制备 |
| 4.3 SiN_x栅介质的表面氧化对IGZO TFT电学特性的影响 |
| 4.3.1 等离子体氧化对SiN_x表面粗糙度的影响 |
| 4.3.2 等离子体氧化对SiN_x表面化学键的影响 |
| 4.3.3 等离子体氧化对SiN_x/IGZO界面的影响 |
| 4.3.4 电导法提取SiN_x/IGZO界面态密度 |
| 4.4 等离子体氧化SiN_x栅介质对IGZO TFT光照稳定性的影响. |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 栅电压采样间隔对亚阈值摆幅参数提取的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 器件的制备 |
| 5.3 栅电压采样间隔对IGZO TFT转移特性的影响 |
| 5.4 亚阈值摆幅对栅电压采样间隔的依赖关系 |
| 5.4.1 前向差分法 |
| 5.4.2 中心差分法 |
| 5.4.3 两种差分方法提取亚阈值摆幅的结果分析 |
| 5.5 栅电压采样间隔的经验公式 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 |
| 致谢 |
（4）耐等离子体刻蚀钇基复合陶瓷的制备及其性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 半导体制造工艺过程 |
| 1.3 等离子体的形成以及在半导体制造中的作用 |
| 1.4 等离子刻蚀腔体内表面部件材料特点 |
| 1.4.1 石英玻璃材料 |
| 1.4.2 碳化硅材料 |
| 1.4.3 氮化铝材料 |
| 1.4.4 氧化铝材料 |
| 1.4.5 氧化钇材料 |
| 1.5 耐等离子刻蚀陶瓷材料的刻蚀机理 |
| 1.6 课题研究目标和主要研究内容 |
| 1.6.1 课题来源 |
| 1.6.2 选题意义 |
| 1.6.3 研究内容 |
| 第二章 实验步骤与性能表征方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验条件 |
| 2.2.1 实验原料 |
| 2.2.2 制备与表征设备 |
| 2.2.3 热压与等离子刻蚀工艺参数 |
| 2.3 性能表征 |
| 2.3.1 密度测试 |
| 2.3.2 力学性能测试 |
| 2.3.3 显微结构测试 |
| 2.3.4 物相与元素分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 耐等离子体刻蚀钇基复合陶瓷的制备与表征 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 ZrO_2/Al_2O_3对钇基复合陶瓷密度的影响 |
| 3.3 ZrO_2/Al_2O_3对钇基复合陶瓷力学性能的影响 |
| 3.4 钇基复合陶瓷的相组成及微观结构 |
| 3.4.1 XRD物相分析 |
| 3.4.2 SEM显微结构 |
| 3.5 耐等离子体刻蚀陶瓷预处理 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 钇基复合陶瓷在Ar等离子体轰击下的刻蚀行为 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 溅射理论的发展及问题 |
| 4.3 钇基复合陶瓷的物理溅射机理讨论 |
| 4.4 钇锆复合陶瓷的刻蚀行为 |
| 4.4.1 刻蚀后的表面粗糙度和表面形貌对比 |
| 4.4.2 钇锆复合陶瓷的刻蚀率变化 |
| 4.4.3 刻蚀后表面的元素变化 |
| 4.4.4 钇锆复合陶瓷的刻蚀机理 |
| 4.5 钇铝复合陶瓷的刻蚀行为 |
| 4.5.1 刻蚀后的表面粗糙度和表面形貌对比 |
| 4.5.2 钇铝复合陶瓷的刻蚀率变化 |
| 4.5.3 刻蚀后表面的元素变化 |
| 4.5.4 钇铝复合陶瓷的刻蚀机理 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 钇基复合陶瓷在氟碳等离子体轰击下的刻蚀行为 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 钇锆复合陶瓷的刻蚀行为 |
| 5.2.1 刻蚀后的粗糙度和表面形貌对比 |
| 5.2.2 钇锆复合陶瓷的刻蚀率变化 |
| 5.2.3 刻蚀后表面的物相、元素变化 |
| 5.2.4 钇锆复合陶瓷的刻蚀机理 |
| 5.3 钇铝复合陶瓷的刻蚀行为 |
| 5.3.1 刻蚀后的表面粗糙度和表面形貌对比 |
| 5.3.2 钇铝复合陶瓷的刻蚀率变化 |
| 5.3.3 刻蚀后的表面物相、元素变化 |
| 5.3.4 钇铝复合陶瓷的刻蚀机理 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得与学位论文相关的成果 |
| 致谢 |
（5）氧化镓薄膜及日盲紫外阵列传感器件研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 氧化镓的基本结构 |
| 1.3 氧化镓的应用领域 |
| 1.3.1 功率半导体器件 |
| 1.3.2 光电子器件 |
| 1.3.3 其他应用 |
| 1.4 日盲紫外探测器简介 |
| 1.4.1 日盲紫外探测器分类 |
| 1.4.2 探测器的性能参数 |
| 1.5 氧化镓基日盲紫外探测器研究进展 |
| 1.5.1 光电导型氧化镓探测器研究进展 |
| 1.5.2 结型氧化镓探测器研究进展 |
| 1.5.3 氧化镓阵列探测器研究进展 |
| 1.6 本论文研究内容与结构安排 |
| 参考文献 |
| 第二章 薄膜制备方法及表征测试技术 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 薄膜的制备方法 |
| 2.2.1 脉冲激光沉积 |
| 2.2.2 金属有机化学气相沉积 |
| 2.2.3 磁控溅射 |
| 2.3 薄膜与器件的表征测试技术 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 氧化镓薄膜的制备及物性研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 非故意掺杂氧化镓薄膜的的生长制备及性能研究 |
| 3.2.1 样品制备流程 |
| 3.2.2 非故意掺杂氧化镓薄膜的性能测试分析 |
| 3.3 硅掺杂氧化镓薄膜的生长制备及性能研究 |
| 3.3.1 样品制备流程 |
| 3.3.2 掺硅的氧化镓薄膜性能测试及分析 |
| 3.4 锡掺杂氧化镓薄膜的生长制备研究 |
| 3.4.1 掺锡氧化镓薄膜的生长制备 |
| 3.4.2 掺锡氧化镓薄膜的表征及结果分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 非对称叉指结构的氧化镓光电探测器性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 氧化镓薄膜生长及平面非对称肖特基结的器件制备 |
| 4.3 薄膜表征及器件性能测试分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 氧化镓薄膜的日盲紫外阵列探测器制备 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 氧化镓薄膜线列探测器的制备及性能研究 |
| 5.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 氧化镓薄膜阵列探测器的后续工艺探索 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 氧化镓二维面列探测器的器件设计制备及性能研究 |
| 6.3 氧化镓阵列探测器中的材料选择及带隙匹配研究 |
| 6.3.1 钛酸钡和氧化镓异质结的制备及能带偏移 |
| 6.3.2 氧化铟和氧化镓的异质结的制备及能带偏移 |
| 6.3.3 异质结带隙匹配结果对比及总结 |
| 6.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 展望 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间取得的学术成果列表 |
| 学术论文 |
| 参加会议 |
（6）二氧化钒太赫兹特性及其器件研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 太赫兹波 |
| 1.2 二氧化钒的太赫兹性能 |
| 1.3 超材料与可调谐超材料 |
| 1.3.1 超材料 |
| 1.3.2 可调谐超材料 |
| 1.3.3 基于材料性能的可调谐超材料 |
| 1.3.4 基于机械结构的可重构超材料 |
| 1.4 二氧化钒在太赫兹波段的器件与应用 |
| 1.4.1 二氧化钒薄膜在太赫兹波段的应用 |
| 1.4.2 二氧化钒薄膜复合的THz超结构 |
| 1.4.3 二氧化钒薄膜的优点与局限 |
| 1.5 本文的主要贡献与创新 |
| 1.6 本论文的结构安排 |
| 第二章 二氧化钒薄膜的制备、表征与太赫兹探测 |
| 2.1 二氧化钒薄膜的高分子辅助沉积法制备 |
| 2.2 二氧化钒薄膜的表征技术 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜 |
| 2.2.2 X射线衍射 |
| 2.2.3 拉曼光谱 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱 |
| 2.3 透射式太赫兹时域光谱仪 |
| 2.3.1 透射太赫兹时域光谱仪的配置 |
| 2.3.2 薄膜材料太赫兹参数的提取 |
| 2.4 太赫兹超材料的制备与仿真分析 |
| 2.4.1 太赫兹超材料的制备 |
| 2.4.2 太赫兹超材料的仿真分析 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 二氧化钒薄膜在太赫兹波段的调制原理研究 |
| 3.1 二氧化钒薄膜太赫兹电导率的德鲁德-史密斯模型预测 |
| 3.1.1 德鲁德-史密斯模型 |
| 3.1.2 德鲁德-史密斯模型的微观解释 |
| 3.1.3 外延与多晶二氧化钒薄膜的德鲁德-史密斯模型 |
| 3.2 有效介质理论对太赫兹波段二氧化钒薄膜复电导的预测 |
| 3.3 变温拉曼光谱探测二氧化钒相分数 |
| 3.4 外延二氧化钒薄膜的金属-绝缘转变过程 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 钴掺杂二氧化钒薄膜的太赫兹性能 |
| 4.1 钴掺杂二氧化钒薄膜的制备与衬底选择 |
| 4.1.1 钴掺杂二氧化钒薄膜的制备 |
| 4.1.2 衬底对钴掺杂二氧化钒薄膜生长的影响 |
| 4.1.3 衬底取向对钴掺杂二氧化钒薄膜的性能影响 |
| 4.2 钴掺杂二氧化钒薄膜的表征与分析 |
| 4.2.1 钴掺杂二氧化钒薄膜元素价态 |
| 4.2.2 钴掺杂二氧化钒薄膜的拉曼光谱 |
| 4.2.3 钴掺杂二氧化钒薄膜的X射线衍射图谱 |
| 4.3 钴掺杂二氧化钒薄膜的太赫兹调制性能 |
| 4.4 钴掺杂对二氧化钒薄膜太赫兹特性的调制原理 |
| 4.4.1 钴掺杂二氧化钒薄膜的太赫兹电导率 |
| 4.4.2 相分离对钴掺杂二氧化钒薄膜太赫兹电导率的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 基于二氧化钒的谐振频率可调太赫兹超材料 |
| 5.1 二氧化钒复合太赫兹超结构 |
| 5.1.1 硅基多晶二氧化钒薄膜的太赫兹特性 |
| 5.1.2 二氧化钒复合超结构的制备 |
| 5.1.3 二氧化钒复合超结构的太赫兹动态特性 |
| 5.1.4 二氧化钒复合超结构的仿真分析 |
| 5.1.5 实验结果总结 |
| 5.2 温度-机械双调制的太赫兹柔性超结构 |
| 5.2.1 波纹结构的力学原理与应用 |
| 5.2.2 亚波长波纹超结构的力学设计 |
| 5.2.3 亚波长波纹超结构的制备与转印 |
| 5.2.4 亚波长波纹超结构的形貌与力学测试 |
| 5.2.5 温度-机械双调制的亚波长波纹超结构的测试 |
| 5.2.6 波纹结构的太赫兹的调制原理 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 全文总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（7）氧化镓基光电器件的制备及内部机制研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 日盲紫外探测背景简介 |
| 1.2 氧化镓材料以及其紫外光电探测器的研究进展 |
| 1.2.1 氧化镓材料简介 |
| 1.2.2 氧化镓基光电探测器研究进展 |
| 1.3 氧化镓紫外探测器中存在的问题 |
| 1.4 论文的选题依据和研究内容 |
| 第2章 光电探测与阻变特性简介 |
| 2.1 光电探测器原理简介 |
| 2.2 光电探测器主要参数 |
| 2.2.1 响应度 |
| 2.2.2 外量子效率 |
| 2.2.3 响应速度 |
| 2.2.4 抑制比和光暗电流比 |
| 2.2.5 噪声等效功率和探测度 |
| 2.3 阻变器原理简介 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 氧化镓基光电器件的制备方法及测试技术 |
| 3.1 氧化镓材料的生长与表征 |
| 3.1.1 氧化镓材料的生长 |
| 3.1.2 氧化镓材料的表征 |
| 3.2 日盲紫外探测器的制备工艺 |
| 3.3 光电探测器的表征系统 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 MSM型高性能氧化镓基光电探测器及增益机制 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 氧化镓材料的制备与表征 |
| 4.3 MSM型光电探测器的制备与表征 |
| 4.4 光电探测器增益机制分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 速度可控的氧化镓基光电探测器及机制 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 氧化镓材料的制备与表征 |
| 5.3 光电探测器性能表征 |
| 5.4 光电探测器速度调控机制分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 氧化镓电学性能调控及日盲紫外记忆器件阵列研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 选区电学调控 |
| 6.3 同质结光电探测器初步表征 |
| 6.4 同质结光控阻变型紫外记忆器件 |
| 6.5 基于氧化镓同质结的记忆成像阵列 |
| 6.6 机制分析 |
| 6.7 本章小结 |
| 第7章 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（8）Sb2Se3薄膜的光电特性调控研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 Sb_2Se_3材料的基本特性 |
| 1.3 Sb_2Se_3光电子器件研究现状 |
| 1.3.1 Sb_2Se_3太阳能电池研究现状 |
| 1.3.2 Sb_2Se_3光电探测器现状 |
| 1.4 本论文的研究课题和研究内容 |
| 第二章 硒化锑薄膜生长技术和器件性能参数 |
| 2.1 Sb_2Se_3薄膜生长技术 |
| 2.1.1 连续离子层吸附与反应沉积法 |
| 2.1.2 真空物理气相沉积 |
| 2.2 Sb_2Se_3薄膜光电子器件性能参数 |
| 2.2.1 Sb_2Se_3太阳能电池工作原理 |
| 2.2.2 Sb_2Se_3太阳能电池器件性能参数 |
| 2.2.3 Sb_2Se_3光电探测器工作原理 |
| 2.2.4 Sb_2Se_3光电探测器性能参数 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 软化学法制备硒化锑太阳能电池及其性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 Sb_2Se_3薄膜的成分研究 |
| 3.3.2 Sb_2Se_3薄膜的形貌研究 |
| 3.3.3 Sb_2Se_3薄膜的光学性能研究 |
| 3.3.4 Sb_2Se_3太阳能电池光电性能研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 硒化锑太阳能电池的界面优化及其性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 TiCl_4表面处理对Sb_2Se_3太阳能电池性能影响的研究 |
| 4.2.1 实验部分 |
| 4.2.2 TiCl_4表面处理原理研究 |
| 4.2.3 TiCl_4表面处理对Sb_2Se_3薄膜光学特性的影响 |
| 4.2.4 TiCl_4表面处理对Sb_2Se_3太阳能电池光电性能的影响 |
| 4.2.5 TiCl_4表面处理对Sb_2Se_3太阳能电池电荷复合速率的研究 |
| 4.3 CdSe界面修饰层对Sb_2Se_3太阳能电池性能影响的研究 |
| 4.3.1 实验部分 |
| 4.3.2 CdSe界面修饰层的成分研究 |
| 4.3.3 CdSe界面修饰层的形貌和结构研究 |
| 4.3.4 CdSe界面修饰对Sb_2Se_3太阳能电池的器件性能的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 硒化锑薄膜近红外光电导探测器的制备和性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 Sb_2Se_3薄膜及及其探测器的制备和表征 |
| 5.2.1 实验部分 |
| 5.2.2 Sb_2Se_3薄膜的成分和结晶性能研究 |
| 5.2.3 Sb_2Se_3薄膜的形貌研究 |
| 5.2.4 Sb_2Se_3薄膜的光学性能研究 |
| 5.2.5 Sb_2Se_3光电探测器的光电性能研究 |
| 5.3 含氟化合物的表面等离子体处理对Sb_2Se_3光电探测器的性能影响 |
| 5.3.1 实验部分 |
| 5.3.2 F等离子体处理的机理研究 |
| 5.3.3 F等离子体处理对Sb_2Se_3薄膜成分的影响 |
| 5.3.4 F等离子体处理对Sb_2Se_3薄膜形貌的影响 |
| 5.3.5 F等离子体处理对Sb_2Se_3薄膜表面电阻和光学性能的影响 |
| 5.3.6 F等离子体处理对Sb_2Se_3光电探测器光电性能的影响 |
| 5.4 不同衬底材料对Sb_2Se_3光电探测器性能的影响 |
| 5.4.1 实验部分 |
| 5.4.2 不同衬底材料对Sb_2Se_3薄膜结晶性能的影响 |
| 5.4.3 不同衬底材料对Sb_2Se_3薄膜形貌的影响 |
| 5.4.4 不同衬底材料对Sb_2Se_3薄膜光电性能的影响 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 Sb_2Se_3/Bi_2Se_3异质结光电探测器的制备和研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验部分 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 Sb_2Se_3/Bi_2Se_3异质结薄膜的成分和结晶取向分析 |
| 6.3.2 Sb_2Se_3/Bi_2Se_3异质结薄膜的形貌与界面状态的分析 |
| 6.3.3 Sb_2Se_3/Bi_2Se_3异质结薄膜的能带排列状态分析 |
| 6.3.4 Sb_2Se_3/Bi_2Se_3异质结光电探测器光电性能分析 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 全文总结与展望 |
| 7.1 全文总结 |
| 7.2 本文主要创新点 |
| 7.3 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（9）基于钛锆氧薄膜的电荷俘获存储器的制备及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 新型非易失性存储器简介 |
| 1.2.1 铁电存储器 |
| 1.2.2 相变存储器 |
| 1.2.3 磁存储器 |
| 1.2.4 阻变存储器 |
| 1.2.5 电荷俘获存储器 |
| 1.3 电荷俘获存储器研究进展 |
| 1.4 论文选题与结构安排 |
| 第二章 电荷俘获存储器件的制备工艺与表征方法 |
| 2.1 器件的制备工艺 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积技术 |
| 2.1.2 电子束蒸发沉积系统 |
| 2.1.3 快速热退火系统 |
| 2.2 器件薄膜的物性表征 |
| 2.2.1 X射线衍射 |
| 2.2.2 X射线光电子能谱 |
| 2.2.3 原子力显微镜 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜 |
| 2.3 器件的电学性能表征 |
| 2.3.1 电容-电压(C-V)特性 |
| 2.3.2 电流-电压(I-V)特性 |
| 2.4 器件的存储性能 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 基于TZO薄膜的电荷俘获存储器的制备 |
| 3.1 电荷俘获存储器的工作原理 |
| 3.1.1 电荷存储机制 |
| 3.1.2 电荷输运机制 |
| 3.2 电荷俘获存储器的各层材料选择 |
| 3.3 TZO薄膜的制备 |
| 3.3.1 TZO陶瓷靶材的制备 |
| 3.3.2 TZO薄膜沉积 |
| 3.4 TZO薄膜的物性分析 |
| 3.4.1 XRD测试结果分析 |
| 3.4.2 AFM测试结果分析 |
| 3.4.3 TZO薄膜沉积速率 |
| 3.5 TZO电荷俘获存储器的制备 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 TZO电荷俘获存储器的性能研究 |
| 4.1 TZO电荷俘获存储器的C-V特性 |
| 4.2 测试频率对器件存储窗口的影响 |
| 4.3 快速热处理对器件存储窗口的影响 |
| 4.3.1 不同退火条件下器件的存储窗口 |
| 4.3.2 不同退火温度下TZO薄膜的XRD结果分析 |
| 4.3.3 TZO薄膜的XPS结果分析 |
| 4.4 TZO电荷俘获存储器的数据保持特性 |
| 4.5 TZO本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻硕期间取得的研究成果 |
（10）TOPCon型N-PERT双面太阳电池工艺技术的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 晶硅太阳能电池工作原理简述 |
| 1.2 高效N型晶硅太阳电池 |
| 1.2.1 N型IBC太阳电池 |
| 1.2.2 N型HIT太阳电池 |
| 1.2.3 N型PERL太阳电池 |
| 1.2.4 N型PERT太阳电池 |
| 1.2.5 N型TOPCon太阳电池 |
| 1.3 TOPCon型N-PERT双面电池研究现状 |
| 1.3.1 国外研究进展 |
| 1.3.2 国内研究进展 |
| 1.4 本论文的研究内容和意义 |
| 2 TOPCon型N-PERT电池结构设计 |
| 2.1 硅基体对TOPCon电池电性能参数的影响 |
| 2.1.1 基体电阻率对电性能的影响 |
| 2.1.2 硅片厚度对电性能的影响 |
| 2.2 发射极对TOPCon电池电性能参数的影响 |
| 2.2.1 发射极饱和电流密度对TOPCon电池电性能参数的影响 |
| 2.2.2 发射极-金属接触电阻率对TOPCon电池电性能参数的影响 |
| 2.3 背表面隧穿钝化结构对TOPCon电池电性能参数的影响 |
| 2.3.1 隧穿氧化层厚度对电池电性能参数的影响 |
| 2.3.2 背表面饱和电流密度对电池电性能参数的影响 |
| 2.4 减反射膜层设计 |
| 2.5 TOPCon电池结构设计 |
| 2.5.1 电池电性能参数模拟结果 |
| 2.5.2 电池光谱响应模拟结果 |
| 2.6 本章小结 |
| 3 硼掺杂发射极制备及前表面钝化的研究 |
| 3.1 硼掺杂曲线分布对发射极的影响 |
| 3.2 方阻均匀性优化 |
| 3.3 掺杂电池前表面钝化的研究 |
| 3.3.1 SiO_2钝化 |
| 3.3.2 Al_2O_3钝化 |
| 3.3.3 SiN_x:H钝化 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 背表面钝化掺杂特性研究 |
| 4.1 基于LPCVD的本征Poly-Si沉积工艺研究 |
| 4.1.1 不同温度下的Poly-Si层沉积 |
| 4.1.2 不同压强下的Poly-Si层沉积 |
| 4.1.3 不同反应气体流量下的Poly-Si层沉积 |
| 4.2 隧穿氧化层生长工艺研究 |
| 4.2.1 隧穿钝化接触机理 |
| 4.2.2. 隧穿氧化层生长工艺 |
| 4.3 Poly-Si掺杂工艺的研究及影响分析 |
| 4.3.1 隧穿氧化层厚度对掺杂特性的影响 |
| 4.3.2 离子注入剂量对掺杂特性的影响 |
| 4.3.3 退火温度对掺杂特性的影响 |
| 4.3.4 退火时间对掺杂特性的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 TOPCon型N-PERT双面电池的制备 |
| 5.1 TOPCon型N-PERT双面电池的制备工艺 |
| 5.2 BOE清洗工艺的优化 |
| 5.3 金属化工艺的优化 |
| 5.3.1 金属浆料与硅片接触特性研究 |
| 5.3.2 背电极印刷方式对电性能影响 |
| 5.3.3 主栅数量优化 |
| 5.3.4 副栅数量优化 |
| 5.4 电性能参数对比 |
| 5.5 TOPCon电池量子效率分析 |
| 5.6 本章小结 |
| 6 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间主要研究成果 |
四、多晶Al_2O_3薄膜的制备及工艺研究（论文参考文献）
- [1]Li、Cu共掺对NiO薄膜光电特性的影响研究[D]. 张萌. 西安理工大学, 2021
- [2]钙钛矿光伏电池的掺杂及界面调控研究[D]. 张振云. 北京科技大学, 2021
- [3]基于等离子体辅助制程的InGaZnO薄膜晶体管的研究[D]. 刘畅. 吉林大学, 2021(01)
- [4]耐等离子体刻蚀钇基复合陶瓷的制备及其性能研究[D]. 谭毅成. 广东工业大学, 2021(08)
- [5]氧化镓薄膜及日盲紫外阵列传感器件研究[D]. 支钰崧. 北京邮电大学, 2021(01)
- [6]二氧化钒太赫兹特性及其器件研究[D]. 路畅. 电子科技大学, 2021(01)
- [7]氧化镓基光电器件的制备及内部机制研究[D]. 乔宝石. 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2021(08)
- [8]Sb2Se3薄膜的光电特性调控研究[D]. 赵博文. 电子科技大学, 2021(01)
- [9]基于钛锆氧薄膜的电荷俘获存储器的制备及性能研究[D]. 李康. 电子科技大学, 2021(01)
- [10]TOPCon型N-PERT双面太阳电池工艺技术的研究[D]. 吕欣. 西安理工大学, 2020