一、粉末厚膜(交)直流电致发光(DCEL)平板显示器（论文文献综述）
牟鹏程[1]（2014）在《钛酸铜钙作为电致发光器件绝缘层的研究》文中研究说明随着信息技术的日新月异,显示器作为人机对话的重要中介所发挥的作用越来越大,平板显示器成为人们对终端显示的基本要求。电致发光器件是一种重要的平板显示器,具视角宽、重量轻、成本低、响应速度快、亮度强、主动发光、效率高、可实现全彩色显示等显着优点,备受人们重视。无机薄膜电致发光器件是目前研究比较广泛的一种电致发光器件,其结构一般包括电极、发光层、绝缘层等部分。其中,绝缘层材料对器件的发光开启电压、老化性能等电致发光特性具有显着影响,高介电常数、高绝缘耐压、低介电损耗的绝缘材料是人们研究的重要目标。本文采用钛酸铜钙（CaCu3Ti4012,CCTO）作为无机薄膜电致发光器件的绝缘层。文献报道的钛酸铜钙相对介电常数在1kHz交流电场中可达104,并且在相当宽的温度范围内基本不变。内部阻挡电容理论是较为广泛接受的分析钛酸铜钙高介电性能的方法,该理论认为高介电性能源于导电的晶粒和绝缘的晶界形成的内部阻挡电容。经溶胶-凝胶法合成了钛酸铜钙粉末。通过红外光谱（IR）、热重-差示扫描量热（TG/DSC）、X射线粉末衍射（XRD）等方法,分析了干凝胶前体经热处理得到钛酸铜钙粉末过程中发生的化学变化,阐释了反应酸度、热处理温度和时间对产物品质的影响。分析表明,适宜的酸度对溶胶-凝胶法至关重要;干凝胶前体在257°C附近发生剧烈氧化还原过程,提高热处理温度有助于减少产物钛酸铜钙粉末的纯度,延长反应时间对杂质含量的降低作用有限。以钛酸铜钙粉末为原料,经造粒、压片、烧结制备了钛酸铜钙陶瓷;用陶瓷作为靶材,使用脉冲激光沉积法在Si/Si02/Ti/Pt基片上制备了 Pt/CCTO/ITO薄膜、P1/CCTO/ZnS:Mn/ITO薄膜;分别测定了陶瓷和薄膜的电性能。在100kHz交流电场下,陶瓷的相对介电常数、介电损耗分别为1590、0.28,劣于文献报道。陶瓷致密度不高、内层阻挡电容较少是主要原因,所用原料粉末过于纯净也影响烧结性能。Pt/CCTO/ITO薄膜的相对介电常数、介电损耗分别为42、0.60,与按量子理论计算的值相近。扫描电子显微镜（SEM）观察到钛酸铜钙薄膜表面平整、没有明显晶粒,据此分析认为,内部阻挡电容减少是薄膜介电性能降低的主要原因。钛酸铜钙与电极间的作用也会使介电常数下降。Pt/CCTO/ITO薄膜的I-V特性曲线表明其击穿电压在100V以上,介质品质因子大于11.5μC/cm2,满足薄膜电致发光器件的要求。I-V曲线具有非线性特性,非线性系数α=2.2352。Pt/CCTO/ZnS:Mn/ITO多层膜经XRD分析表明钛酸铜钙为（422）择优取向,ZnS为纤锌矿（002）择优取向,与文献报道不符,钛酸铜钙可能对ZnS的生长有导向作用。SEM观察到钛酸铜钙薄膜在沉积ZnS后减厚20%,且两层界面不清晰。I-V曲线显示,电流比Pt/CCTO/ITO薄膜增加3个数量级,击穿电压在68.5V。推测ZnS与钛酸铜钙发生了相互作用,使钛酸铜钙失氧形成空位载流子,钛酸铜钙晶界的绝缘性下降。
刘雅丽[2]（2013）在《掺杂ZnO薄膜的电致发光的探索》文中认为ZnO是一种新型的直接带隙宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV，在室温甚至高温下可以实现高效的激子复合发光，是一种理想的短波长发光器件材料。此外，ZnO作为一种半导体材料，它的性能是由其缺陷和杂质决定的。对ZnO进行掺杂，可以实现在可见光范围的多个发光峰，从而促进ZnO从研究走向应用，从材料走向器件，从实验室走向工厂。本论文中，我们采用溶胶凝胶法分别在氧化铟锡（ITO）导电玻璃基底上制备了Li:ZnO薄膜和Eu:ZnO薄膜，并对其形貌、结构和光学性能进行了研究，最后以掺杂ZnO薄膜作为发光层，构建了ITO/掺杂ZnO薄膜/Ag结构的电致发光器件，探索了电致发光器件的性质。首先，我们在ITO导电玻璃基底上制备了不同掺杂浓度以及不同退火温度的Li:ZnO薄膜，并且研究了其对ZnO薄膜的结构形貌和光学性质的影响。结果显示：当Li的摩尔比率为8%，退火温度为560℃时，薄膜的表面平整，结晶质量较好。随着掺Li浓度的增大，ZnO薄膜的禁带宽度减小，光致发光谱中可见光发光峰发生红移现象。随着退火温度的升高，禁带宽度先减小，当为610℃时，禁带宽度又增大。其次，我们在ITO导电玻璃基底上制备了不同掺杂浓度及不同退火温度的Eu:ZnO薄膜，对其结构形貌和光学性能进行了研究。当掺Eu摩尔比率为6%、退火温度为550℃时制备的薄膜（002）取向性较好，质量较高，光致发光谱中可见光的发光峰最强。此外，退火温度的升高导致禁带宽度减小，并且低温退火时，光致发光谱中可见光区域出现了来源于Eu3+的5D0→7F1的594nm和5D0→7F2的614nm的两个尖的发光峰。最后，我们分别构建了ITO/ZnO薄膜/Ag、ITO/Li:ZnO薄膜/Ag及ITO/Eu:ZnO薄膜/Ag结构的电致发光器件，观察到了发光现象，并对器件的I-V曲线及电致发光EL谱做了分析。结果显示，ITO/ZnO薄膜/Ag结构的电致发光器件，其I-V曲线显示出良好的整流特性，在EL谱中观察到485nm和595nm左右的较宽的发光峰。ITO/Eu:ZnO薄膜/Ag结构的电致发光器件，其I-V曲线显示器件具有整流特性，当Eu所占摩尔比为6%时，从EL谱中可以观察到580nm、593nm、602nm左右的比较窄的发光峰以及650nm附近的较宽的发光峰，这可能来源于Eu3+的发光峰和ZnO的缺陷发光。
张灵翠[3]（2012）在《一维氧化锌纳米材料的制备及其电致发光器件的研究》文中提出氧化锌（ZnO）是一种重要的宽禁带半导体材料，它具有较高的激子束缚能（60meV），在紫外及可见光范围内存在多个由于激子或本征缺陷引起的发光峰。同时，ZnO具有优异的光学和电学特性，优良的抗辐射能力，高的热稳定性和化学稳定性，低廉的价格而且环保无毒，这些突出的优点使ZnO成为一种极有前途的短波长光电功能材料，并引起了研究者广泛的关注。本论文中，我们采用相对简单但精心优化的制备工艺，制备出能够应用在电致发光器件中的一维ZnO纳米棒。以ZnO纳米棒为发光层，构建了ITO/ZnO纳米棒/PVK/Al的电致发光器件，并对电致发光器件的发光机理进行了深入的探索。首先，我们分别采用模板法和化学浴沉积法制备了ZnO纳米棒阵列。鉴于下一步在电致发光器件中的应用，重点研究了化学浴沉积法制备ZnO纳米棒阵列的条件及不同的生长条件对ZnO纳米棒结构及发光性能的影响，并提出了应用于电致发光器件的最佳制备工艺。研究结果表明：采用化学浴沉积法在透明的ITO导电玻璃上生长的ZnO纳米棒垂直于衬底、分布均匀，尺寸单一性好，具有六方纤锌矿结构，并且纳米棒的直径和长度均可由实验条件控制。比起传统的制备方法，该方法制备的纳米棒阵列具有操作简单、制备成本低、阵列的质量高等优点。其次，我们构建了ITO/ZnO纳米棒/PVK/Al电致发光器件。为了更好的分析器件的发光机理，我们又分别构建了ITO/ZnO/Al和ITO/PVK/Al电致发光器件进行对比，并对其电致发光器件的I-V曲线以及EL谱做了深入的分析。由于ITO与ZnO之间存在较大的空穴势垒，在一定程度上限制了器件的发光性能。本文首创性地构建了ITO/ZnO纳米棒/PVK/Al倒置结构的电致发光器件，有效提高了器件的发光强度，实现了不通过掺杂的、无p-n结结构的、发射白光的ZnO发光器件。这一器件的发射光谱中包括了来自ZnO的激子复合的紫外发光和较强的ZnO缺陷发光，它们在可见光区域的混合导致了白光的出现。在电致发光谱测试中，无论是器件的正置结构还是倒置结构，我们都观察到了尖锐的发光峰的出现。从理论上推断出，尖锐峰的出现是器件在电场作用下产生的随机激光。每一个尖锐峰对应于一个自发辐射过程，许多自发辐射光子通过强烈的多重散射而获得大于损耗的增益，并由此产生随机激光。其中，ZnO纳米棒垂直于衬底的生长以及其高度的均匀性对器件产生激光来说是非常重要的。此现象的发现，使得ZnO纳米棒在光电子器件方面有了更广阔的应用前景。
房东玉[4]（2010）在《ZnO薄膜电致发光的探索》文中研究说明ZnO是一种宽禁带半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,具有室温下发射紫外光的优异特性,此外,它的各种点缺陷还可发射蓝光或绿光,因而受到人们的广泛关注。电致发光是一种将电能直接转换为光能的固体发光现象,电致发光器件以其冷发光、响应快、功耗低、重量轻、成本低廉、器件结构简单等优点而广泛的应用于照明及平板显示领域。本文利用溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜并对其结构、光学透过率、表面形貌及PL谱进行了研究,并采用传统的MS器件结构制备了ZnO薄膜的电致发光器件,进行了发光观察。论文介绍了ZnO电致发光的研究进展、电致发光原理及器件材料的选择,并详细介绍了全部实验过程。通过XRD、SEM以及紫外可见近红外荧光光谱仪分别对不同搅拌时间的溶胶制备的ZnO薄膜样品的结晶度、表面形貌和光学透过率进行了研究,结果表明均匀搅拌60min的溶胶制备的ZnO薄膜较好,ZnO薄膜呈现C轴择优取向生长,表面致密均匀,纳米颗粒大小在32nm左右,光学透过率达90%以上。研究了400℃～700℃不同退火温度下对搅拌60min的溶胶制备的ZnO薄膜的结构、光学特性及PL谱的影响,实验结果表明随着退火温度的增加,ZnO薄膜（002）衍射峰半高宽先减小后略有增加,600℃退火下半高宽达到最小值,最小为0.229度;从透射光谱可知在400℃～600℃退火的样品透射率较好,在450nm～800nm范围内透射率达70%以上;从PL谱可知在450℃～550℃之间退火的样品紫外发射峰较强,可见光的发光强度较弱,而在600℃～700℃之间退火的薄膜样品紫外发射峰相对较弱,可见光的发光强度较强,所以选择不同的退火温度可以适当的改变不同区域的发光峰强度。最后,在室温下,将直流电压加在MS结构的ZnO薄膜上,分别用肉眼和PR650光谱光度/色度计进行了电致发光观察和测试,并对观察的结果做了分析和讨论。
于涛[5]（2008）在《无机EL显示模块控制电路设计》文中指出随着平板显示技术的崛起和日趋成熟,平板显示器件正逐渐代替传统的CRT显示器件。无机EL显示器件是一种全固态的平板显示器件,它的结构简单,它具有主动发光、视角宽、对比度高、响应速度快、使用温度范围宽、坚固性好、寿命长等诸多优点,在军事工业以及环境恶劣的场合有着广泛应用。本文首先叙述了平板显示技术的发展现状和前景,接着从基础知识入手,介绍了无机EL的发光机理、平板显示驱动的原理和基本的电路构成以及显示系统和灰度调制方式等相关理论。在此基础上,详细阐述了一种无机显示模块控制电路的设计过程。该控制电路是基于Planar公司的EL640.480-AF1无机显示模块,使用FPGA设计完成的。设计的最终目的是使该显示模块可用作计算机终端。电路设计包括软硬件两部分。软件方面包括两部分。一部分是针对FPGA,将整个电路分为3个模块,分别是:数据处理模块、存储器时序发生模块和显示模块时序产生模块,利用QuartusⅡ软件,分别对三个模块进行编程和仿真;另一部分是利用单片机8051,对DVI解码芯片进行控制。硬件部分包括DVI解码芯片、FPGA、电平转换器等,设计步骤主要包括硬件电路的设计、PCB板图的绘制以及电路调试几个部分。最终,将经过调试的电路连接至计算机和显示屏上,可以实现VGA、SVGA和XGA三种信号格式的自动识别,并稳定实现了显示屏对计算机显示内容的实时灰度显示。本控制电路还可控制彩色EL显示器实现彩色显示。
杨吉[6]（2008）在《有机电致发光驱动电路的研究》文中指出在显示器件发展初期,阴极射线管（CRT）占据着主导地位。随着科学技术的发展,显示技术也在不断地更新换代。显示器件朝着高分辫率、高清晰度以及便于携带的方向不断发展,于是平板显示器应运而生并逐步应用于各个领域。有机电致发光二极管（OLED）作为拥有自发光、响应速度快、无视角限制、低功耗等特点的平板显示技术,成为当今研究、开发的一大热点,得到了学术界、企业界的大量投入,并己取得令人瞩目的发展。OLED广泛应用于仪器、仪表、通信器材、计算机终端等领域。目前,OLED在研制高稳定性的器件方面以及在研究高质量、动态显示的驱动电路方面都己取得了一定发展,然而OLED的驱动技术还不是很成熟。本论文工作主要包括有机电致发光像素驱动,有机电致发光器件驱动芯片的选择和驱动电路的研究。本文首先回顾了有机电致发光器件的基本结构,有机电致发光的基本原理,以及有机电致发光的几种驱动方式的原理及特点。OLED向大屏幕高分辨率发展必须结合有源矩阵（Active Matrix, AM）驱动技术。根据有机电致发光的机理,选择合适的控制芯片提出一种有源驱动电路的设计方案,通过SAA7113H做输入信号A/D转换,运用Verilog HDL硬件描述语言编写了显示屏控制程序。FPGA进行前端仿真AM-OLED的实时视频显示,图像质量较好,以证实此种驱动电路设计方案的可行性。最后论文就OLED此种有源驱动方式的不足提出了一些意见。整个项目按照自顶而下的方式设计,首先完成系统级的结构设计,然后完成各模块的结构设计,解决了从系统到模块的结构设计之后,才进入具体模块的实现阶段,利用FPGA工具进行必要的仿真分析,并作了合理的优化和创新。
管世振[7]（2007）在《薄膜、厚膜电致发光器件的研究》文中研究表明随着信息技术的发展,平板显示将成为信息时代对终端显示的基本要求。电致发光器件作为平板显示器的重要一员,由于其具有重量轻、成本低、视角宽、响应速度快、主动发光、发光亮度和发光效率高、能实现全色显示等优点,备受科学界和产业界的广泛重视。电致发光器件逐渐成为多学科交叉、协作研究的国际前沿课题和各国高技术竞争的焦点。通过新材料的研究与使用,器件结构和工艺的不断完善,电致发光器件的发展已取得了长足的进步。世界上许多知名的大公司也加入到这方面的研究与开发工作中,并已经开始规模的进入市场。本文着重讲述了薄膜、厚膜电致发光器件的厚膜绝缘层和薄膜发光层对电致发光器件的影响。很多前人实验表明EL的发光亮度和发光材料有关,而且还与厚膜绝缘层有关。所以制作发光层和绝缘层也是电致发光显示的一个重要环节。我们通过制作一个橙黄色薄膜、厚膜电致发光器件来研究电致发光的特性,整个器件结构为ITO透明电极/内电极/厚膜绝缘层/发光层/ITO透明电极。其中发光层是用电子束蒸发的方法蒸镀的,绝缘层是用丝网印刷的方法制备的,背电极铝（Al）是采用热蒸发的方法制备的。研究了由PMN-PT-PCW三元系陶瓷料制成的陶瓷厚膜的基本性质,并对陶瓷厚膜的制备条件与厚膜厚度等因素对薄膜、厚膜电致发光器件电致发光特性的影响进行了部分深入的研究。分析了橙黄色薄膜、厚膜器件的电致发光特性以及提高其发光亮度的方法,研究了ZnS:Mn薄膜、厚膜电致发光器件的发光机理。通过以上的研究,对于电致发光的效率,亮度等参数和绝缘层、发光层的关系做了进一步的优化,结果显示厚膜发光器件比薄膜电致发光器件有更低的阈值电压和较小的介电损耗,有效地防止了串扰现象。
纠智先[8]（2005）在《ZnS荧光薄膜的脉冲激光沉积及其特性研究》文中提出场发射平板显示器件由于具有高亮度、体积小、低能耗、高视觉性能等优点,深受众多研究者的青睐。要制造出高质量的场发射平板显示器件,不仅需要高性能的阴极,还需要与之相匹配的阳极荧光层以及先进的器件封装技术。 本论文从优化场发射平板显示阳极荧光层的角度出发,采用YAG固体激光器（1064nm）和XeCl（308nm）准分子激光器,利用射频辅助脉冲激光沉积技术,通过改变脉冲激光能量密度、射频辅助及环境气压、沉积温度、基体—靶距、激光重复频率等参量,并采取对荧光薄膜进行退火处理等手段,制备出了具有较高发光性能的ZnS荧光薄膜。并且具体分析了上述制备工艺条件对ZnS薄膜特性的影响。通过XRD、SEM、AFM对制备样品的结构、形貌特性进行测试,利用荧光光谱仪、亮度计对样品的光致发光和阴极射线发光特性进行了分析。研究了ZnS薄膜的结晶状况、成分、膜厚等因素对其发光性能的影响。得出结论为:在低脉冲能量下,使用Ar气等离子体羽辉射频辅助、沉积温度200℃、选用基体—靶距5cm、激光重复频率为3Hz并进行退火处理的薄膜样品具有较高的结晶度,以及较好的发光性能。 在优化的沉积条件中制备了发光较好的绿色ZnS荧光薄膜,同时又尝试采用了ZnO/ZnS双层薄膜来提高发光性能。结果表明制备的双层薄膜比单层薄膜发光亮度有所提高,但还待进一步研究。
周连祥[9]（2002）在《粉末厚膜（交）直流电致发光（DCEL）平板显示器》文中认为我国是继英国之后世界上第二个独立自主研究并全面掌握DCEL技术的国家,其基本技术已赶上英国,达到世界先进水平。近年来,我国在DCEL核心关键技术———包铜和形成工艺方面又开发出独特的新工艺,使生产效率和DCEL显示器最大单元发光面积均提高十至几十倍,彻底克服了对产业化的严重制约,处于世界领先水平。我国首先发现并深入研究了DCEL器件的ACEL特性,其ACEL发光亮度在市电工作条件下比传统ACEL器件提高十倍以上。深入地研究了DCEL形成过程的物理图像和机制、亮度衰减特性;发光区的成因及其随机性;DCEL器件在交流（AC）电压下的光电特性等。1985年完成世界上首台计算机控制大面积（1m2）镶嵌式DCEL终端显示器,并成功用于全国人大常委会会务信息显示;同年还完成我国首台高分辨率便携式固体平板化DCEL微机终端显示器。利用DCEL器件的ACEL特性还成功开发出多种非矩阵DCEL显示器。
周连祥[10]（2000）在《粉末直流电致发光平板显示器》文中研究表明介绍一种我国独立自主开发的具有国际先进水平的新型平板显示器件。简述国内外的现状、器件的结构及与其它平板显示技术的比较、器件的特点、显示特性及其应用。
二、粉末厚膜(交)直流电致发光(DCEL)平板显示器（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、粉末厚膜(交)直流电致发光(DCEL)平板显示器（论文提纲范文）
（1）钛酸铜钙作为电致发光器件绝缘层的研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 电致发光的研究历程 |
| 1.3 电致发光器件的结构和原理 |
| 1.3.1 电致发光的理论基础 |
| 1.3.1.1 能带理论 |
| 1.3.1.2 定域能级理论 |
| 1.3.2 低场电致发光原理 |
| 1.3.3 高场电致发光原理 |
| 1.3.3.1 MIS结构薄膜电致发光器件 |
| 1.3.3.2 MISIM结构薄膜电致发光器件 |
| 1.4 电致发光器件的发光特性 |
| 1.4.1 亮度-电压关系 |
| 1.4.2 发光效率 |
| 1.4.3 老化性能 |
| 1.4.4 亮度-频率关系 |
| 1.5 无机薄膜电致发光器件的材料 |
| 1.5.1 发光层材料 |
| 1.5.1.1 红色发光材料 |
| 1.5.1.2 绿色发光材料 |
| 1.5.1.3 蓝色发光材料 |
| 1.5.1.4 白色发光材料 |
| 1.5.2 绝缘层材料 |
| 1.5.2.1 绝缘层的作用和要求 |
| 1.5.2.2 常用的绝缘层材料 |
| 1.5.3 透明电极 |
| 1.5.3.1 氧化铟基薄膜 |
| 1.5.3.2 氧化锡基薄膜 |
| 1.5.3.3 氧化锌基薄膜 |
| 1.6 无机薄膜电致发光存在的问题和发展趋势 |
| 1.7 本文的研究 |
| 第二章 钛酸铜钙的合成和表征 |
| 2.1 介电原理 |
| 2.1.1 电极化 |
| 2.1.1.1 电子位移极化 |
| 2.1.1.2 离子位移极化 |
| 2.1.1.3 偶极子转向极化 |
| 2.1.1.4 热离子松弛极化 |
| 2.1.1.5 空间电荷极化 |
| 2.1.2 电损耗 |
| 2.1.2.1 电导损耗 |
| 2.1.2.2 松弛极化损耗 |
| 2.1.2.3 谐振损耗 |
| 2.2 钛酸铜钙简介 |
| 2.2.1 钛酸铜钙的高介电性能 |
| 2.2.2 钛酸铜钙高介电性能的理论模型 |
| 2.2.2.1 应力分析法 |
| 2.2.2.2 量子力学分析法 |
| 2.2.2.3 内部阻挡层电容分析法 |
| 2.2.2.4 光电导分析法 |
| 2.2.3 钛酸铜钙的一般合成方法 |
| 2.3 溶胶-凝胶法合成钛酸铜钙 |
| 2.4 结果和讨论 |
| 2.4.1 干凝胶前体的灼烧过程 |
| 2.4.2 灼烧温度、时间和反应酸度的影响 |
| 2.4.3 钛酸铜钙陶瓷的结构和介电性能 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 多层薄膜的制备和表征 |
| 3.1 常用的无机薄膜制备方法 |
| 3.1.1 真空蒸发沉积 |
| 3.1.2 溅射沉积 |
| 3.1.3 分子束外延 |
| 3.1.4 脉冲激光沉积 |
| 3.1.5 化学气相沉积 |
| 3.1.6 溶胶-凝胶法 |
| 3.2 脉冲激光沉积法制备多层膜 |
| 3.3 结果和讨论 |
| 3.3.1 多层膜结构 |
| 3.3.2 电性能 |
| 3.4 本章小结 |
| 全文总结 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间公开发表的论文 |
| 致谢 |
（2）掺杂ZnO薄膜的电致发光的探索（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 ZnO 结构、性质及应用 |
| 1.2.1 ZnO 的晶体结构及基本性质 |
| 1.2.2 ZnO 的缺陷与掺杂 |
| 1.2.3 ZnO 的应用 |
| 1.3 掺杂 ZnO 薄膜的研究进展 |
| 1.4 ZnO 电致发光器件 |
| 1.4.1 电致发光器件的应用 |
| 1.4.2 ZnO 电致发光器件的研究进展 |
| 1.5 本文的研究目的及主要内容 |
| 第二章 电致发光理论 |
| 2.1 电致发光简介 |
| 2.2 电致发光的分类 |
| 2.3 电致发光的发光机理 |
| 2.3.1 电致发光的激发过程 |
| 2.3.2 电致发光的能量输运过程 |
| 2.3.3 电致发光的复合发光过程 |
| 2.3.4 薄膜电致发光的器件的发光原理 |
| 2.4 电致发光的光电特性 |
| 2.4.1 ZnO 电致发光器件的结构模型 |
| 2.4.2 ZnO 电致发光器件的材料选择与制备 |
| 第三章 ZnO 薄膜的制备与表征 |
| 3.1 掺杂 ZnO 薄膜的制备 |
| 3.1.1 ZnO 电致发光器件的材料选择与制备 |
| 3.1.2 实验仪器及设备 |
| 3.1.3 掺杂 ZnO 薄膜的制备过程 |
| 3.2 掺杂 ZnO 薄膜的表征技术 |
| 3.2.1 材料表面形貌的表征技术—场发射扫描电子显微镜 |
| 3.2.2 材料的结构表征—X 射线衍射仪 |
| 3.2.3 紫外-可见-近红外分光光度计 |
| 3.2.4 荧光光谱仪 |
| 3.3 掺杂浓度对 Li:ZnO 薄膜的结构和光学性能的影响 |
| 3.3.1 掺杂浓度对 Li:ZnO 薄膜的表面形貌的影响 |
| 3.3.2 掺杂浓度对 Li:ZnO 薄膜的结构的影响 |
| 3.3.3 掺杂浓度对 Li:ZnO 薄膜的光学带隙的影响 |
| 3.3.4 掺杂浓度对 Li:ZnO 薄膜的光致发光的影响 |
| 3.4 退火温度对 Li:ZnO 薄膜的结构和光学性能的影响 |
| 3.4.1 退火温度对 Li:ZnO 薄膜的表面形貌的影响 |
| 3.4.2 退火温度对 Li:ZnO 薄膜的结构的影响 |
| 3.4.3 退火温度对 Li:ZnO 薄膜的光学性能的影响 |
| 3.5 掺杂浓度对 Eu:ZnO 薄膜的结构和光学性能的影响 |
| 3.5.1 掺杂浓度对 Eu:ZnO 薄膜的结构的影响 |
| 3.5.2 掺杂浓度对 Eu:ZnO 薄膜的表面形貌的影响 |
| 3.5.3 掺杂浓度对 Eu:ZnO 薄膜的透射谱的影响 |
| 3.5.4 掺杂浓度对 Eu:ZnO 薄膜的光致发光的影响 |
| 3.6 退火温度对 Eu:ZnO 薄膜的结构和光学性能的影响 |
| 3.6.1 退火温度对 Eu:ZnO 薄膜的结构的影响 |
| 3.6.2 退火温度对 Eu:ZnO 薄膜的透射谱和吸收谱的影响 |
| 3.6.3 退火温度对 Eu:ZnO 薄膜的光致发光的影响 |
| 第四章 掺杂 ZnO 薄膜电致发光器件的研究 |
| 4.1 电致发光器件的制备及测量仪器的介绍 |
| 4.1.1 掺杂 ZnO 薄膜的电致发光器件的制备 |
| 4.1.2 掺杂 ZnO 薄膜的电致发光器件的制备 |
| 4.2 ITO/ZnO 薄膜/Ag 电致发光器件的性质研究 |
| 4.3 ITO/Li:ZnO 薄膜/Ag 电致发光器件的性质研究 |
| 4.4 ITO/Eu:ZnO 薄膜/Ag 电致发光器件的性质研究 |
| 第五章 工作总结与展望 |
| 5.1 工作总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况说明 |
| 致谢 |
（3）一维氧化锌纳米材料的制备及其电致发光器件的研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 纳米材料的概述 |
| 1.2.1 纳米材料 |
| 1.2.2 纳米材料的物理性质 |
| 1.3 ZnO 的结构、性质、应用及研究现状 |
| 1.3.1 ZnO 的结构 |
| 1.3.2 ZnO 的特性 |
| 1.3.3 纳米 ZnO 的特性 |
| 1.3.4 ZnO 在纳米器件中的应用及研究进展 |
| 1.4 目前存在的问题 |
| 1.5 本文的研究目的及主要内容 |
| 第二章 电致发光理论 |
| 2.1 电致发光简介 |
| 2.2 电致发光的定义及分类 |
| 2.3 电致发光的原理 |
| 2.3.1 电致发光的激发过程 |
| 2.3.2 电致发光的能量传递和输运过程 |
| 2.3.3 电致发光的复合过程 |
| 2.4 电致发光的能带理论 |
| 2.5 电场在电致发光中的作用 |
| 2.6 ZnO 电致发光器件构造的理论基础 |
| 2.6.1 ZnO 电致发光器件的结构模型和发光机理 |
| 2.6.2 ZnO 纳米棒阵列电致发光器件材料的选择与制备 |
| 第三章 ZnO纳米棒阵列的制备与表征 |
| 3.1 ZnO 纳米棒的制备方法介绍 |
| 3.1.1 气相—液相—固相生长法 |
| 3.1.2 气相—固相生长法 |
| 3.1.3 模板法 |
| 3.1.4 湿化学法 |
| 3.2 ZnO 纳米棒的表征技术 |
| 3.2.1 材料表面形貌的表征技术—场发射扫描电子显微镜 |
| 3.2.2 材料的结构表征—X 射线衍射仪 |
| 3.2.3 高分辨透射电子显微镜 |
| 3.2.4 能量色散谱仪 |
| 3.2.5 紫外-可见-近红外分光光度计 |
| 3.2.6 荧光光谱仪 |
| 3.3 ZnO 纳米棒制备中尚待解决的问题 |
| 3.3.1 衬底的选择 |
| 3.3.2 生长条件的选择 |
| 3.4 模板法制备 ZnO 纳米棒阵列 |
| 3.4.1 阳极氧化铝模板的制备 |
| 3.4.2 AAO/ZnO 纳米棒阵列的制备过程 |
| 3.4.3 样品的形貌与结构分析 |
| 3.4.4 模板法的优缺点 |
| 3.5 化学浴沉积法在 ITO 上生长 ZnO 纳米棒阵列及样品的表征 |
| 3.5.1 实验仪器及试剂 |
| 3.5.2 ZnO 纳米棒的制备过程 |
| 3.5.3 ZnO 纳米棒的生长机理 |
| 3.5.4 ZnO 纳米棒的表征 |
| 3.6 生长温度对 ZnO 纳米棒阵列形貌、结构及性能的影响 |
| 3.6.1 不同的生长温度对 ZnO 纳米棒形貌的影响 |
| 3.6.2 不同的生长温度对 ZnO 纳米棒结构的影响 |
| 3.6.3 不同的生长温度对 ZnO 纳米棒光学性质的影响 |
| 3.7 退火温度对 ZnO 纳米棒阵列结构及光学性能的影响 |
| 3.7.1 退火温度对 ZnO 纳米棒阵列结构的影响 |
| 3.7.2 退火温度对 ZnO 纳米棒阵列光学性质的影响 |
| 3.8 本章小结 |
| 第四章 新型ZnO电致发光器件的研究 |
| 4.1 ZnO 电致发光器件的研究背景 |
| 4.2 ITO/ZnO 纳米棒/PVK/Al 电致发光器件的制备与测试仪器介绍 |
| 4.2.1 器件的制备 |
| 4.2.2 器件的测试 |
| 4.3 ITO/ZnO 纳米棒/PVK/Al 电致发光器件的性质研究 |
| 4.3.1 ITO/ZnO 纳米棒/PVK/Al 电致发光器件的构建 |
| 4.3.2 实验结果及分析 |
| 4.4 ITO/ZnO 纳米棒/PVK/Al 倒置结构电致发光器件的研究 |
| 4.5 ITO/ZnO 纳米棒/PVK/Al 电致发光器件产生激光的研究 |
| 4.6 本章总结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 工作总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和科研情况说明 |
| 致谢 |
（4）ZnO薄膜电致发光的探索（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 电致发光器件的应用 |
| 1.3 电致发光的分类 |
| 1.4 电致发光原理 |
| 1.4.1 低场注入式发光原理 |
| 1.4.2 高场下的电致发光原理 |
| 1.5 电致发光的光电特性 |
| 1.6 本文的研究目的与工作安排 |
| 第二章 器件材料的选择与制备 |
| 2.1 ITO 导电电极的制备 |
| 2.2 基底材料的选择 |
| 2.3 透明导电电极的选择 |
| 2.4 金属电极的选择与制备 |
| 2.5 绝缘层材料的选择 |
| 第三章 样品的制备与表征 |
| 3.1 实验仪器与设备 |
| 3.2 样品的制备过程 |
| 3.3 样品的结构与性能表征 |
| 第四章 结果与讨论 |
| 4.1 溶胶浓度对薄膜样品结构性能的影响 |
| 4.2 退火温度对薄膜样品结构性能的影响 |
| 4.3 ZnO 薄膜电致发光的探索 |
| 第五章 工作总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（5）无机EL显示模块控制电路设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 显示技术的发展现状 |
| 1.2 电致发光显示技术 |
| 1.3 无机电致发光器件 |
| 1.4 可编程逻辑器件简介 |
| 1.5 论文的研究内容 |
| 第二章 基础理论 |
| 2.1 无机EL 显示器件的基本结构 |
| 2.2 无机EL 各层作用简介 |
| 2.2.1 基片 |
| 2.2.2 电极 |
| 2.2.3 发光层 |
| 2.2.4 绝缘层 |
| 2.3 平板显示系统概述 |
| 2.4 驱动电路理论 |
| 2.4.1 动态驱动法 |
| 2.4.2 如何克服交叉响应 |
| 2.4.3 驱动器工作原理 |
| 2.4.4 分屏驱动技术 |
| 2.5 灰度调制方法 |
| 2.5.1 幅度灰度调制 |
| 2.5.2 面积灰度调制 |
| 2.5.3 时间灰度调制 |
| 2.6 FPGA 的基本结构 |
| 2.7 FPGA 的设计流程 |
| 第三章 无机EL 显示器件控制电路的设计 |
| 3.1 设计思路 |
| 3.2 整体框图 |
| 3.3 显示模块驱动电路构成 |
| 3.4 控制电路设计 |
| 3.5 器件选择 |
| 3.5.1 驱动IC |
| 3.5.2 存储器 |
| 3.5.3 FPGA |
| 3.5.4 DVI 解码芯片 |
| 3.5.5 电平转换器 |
| 第四章 软件编译与仿真 |
| 4.1 8051 部分 |
| 4.1.1 双线串行寄存器 |
| 4.1.2 I~2C 总线 |
| 4.1.3 控制信号SDA 和SCL |
| 4.1.4 设计流程 |
| 4.2 FPGA 部分 |
| 4.2.1 Altera QuartusⅡ软件简介 |
| 4.2.2 存储器时序产生 |
| 4.2.3 显示模块时序发生 |
| 4.2.4 数据处理模块 |
| 第五章 硬件电路的设计与调试 |
| 5.1 硬件电路的设计 |
| 5.1.1 DVI 解码电路 |
| 5.1.2 FPGA 控制电路 |
| 5.2 硬件电路调试 |
| 5.2.1 写片 |
| 5.2.2 FPGA 调试 |
| 5.2.3 电路调试 |
| 5.3 最终验证 |
| 第六章 结论 |
| 6.1 本文的主要工作 |
| 6.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 硕士期间论文发表情况 |
（6）有机电致发光驱动电路的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 目前几种平板显示技术的比较 |
| 1.3 有机电致发光的研究历史和发展状况 |
| 1.4 有机电致发光驱动电路研究的重要性 |
| 1.5 本文的内容安排 |
| 第2章 OLED 结构和工作原理 |
| 2.1 有机电致发光器件的结构 |
| 2.2 有机电致发光器件的发光原理 |
| 2.2.1 载流子的注入 |
| 2.2.2 载流子的传输 |
| 2.2.3 载流子的复合 |
| 2.2.4 激子的衰减与发光 |
| 2.3 小结 |
| 第3章 LCD与OLED 驱动方式 |
| 3.1 LCD 无源及有源阵列显示 |
| 3.1.1 LCD 无源阵列显示 |
| 3.1.2 LCD 有源阵列显示 |
| 3.2 LCD 驱动方式 |
| 3.2.1 静态驱动方式 |
| 3.2.2 动态驱动方式 |
| 3.2.3 有源矩阵方式 |
| 3.3 OLED 驱动方式 |
| 3.3.1 直流驱动和交流驱动 |
| 3.3.2 静态驱动和动态驱动 |
| 3.3.3 无源驱动和有源驱动 |
| 3.3.4 有源驱动与无源驱动的不同 |
| 3.3.5 电压驱动与电流驱动的不同 |
| 3.4 小结 |
| 第4章 AM-OLED 显示模块系统设计 |
| 4.1 系统总方案规划 |
| 4.2 驱动电路设计 |
| 4.2.1 驱动IC 选择 |
| 4.2.2 模块功能描述 |
| 4.2.3 视频接口与数据处理模块 |
| 4.3 小结 |
| 第5章 FPGA 程序设计 |
| 5.1 FPGA 简介 |
| 5.2 主体程序框架 |
| 5.2.1 数据处理单元工作过程 |
| 5.2.2 内存控制器 |
| 5.2.3 状态机 |
| 5.3 设计结果 |
| 5.4 小结 |
| 第6章 结论 |
| 6.1 本文工作总结 |
| 6.2 今后的研究方向 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 |
| 上海交通大学学位论文答辩决议书 |
（7）薄膜、厚膜电致发光器件的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 电致发光的历史 |
| 1.3 薄膜电致发光的研究现状和存在的问题 |
| 1.3.1 薄膜显示器的研究现状 |
| 1.3.2 目前国内外研究所存在的问题 |
| 1.4 课题研究内容与目标 |
| 第二章 薄膜、厚膜电致发光器件的结构和发光机理 |
| 2.1 薄膜、厚膜电致发光器件的结构 |
| 2.2 薄膜电致发光器件的物理模型 |
| 2.3 薄膜电致发光器件的发光机理 |
| 2.3.1 电子注入发光层 |
| 2.3.2 电子通过高场加速为过热电子 |
| 2.3.3 过热电子对发光中心的碰撞激发和碰撞离化 |
| 2.4 电致发光器件的主要光电特性 |
| 2.4.1 电致发光亮度和电压的关系 |
| 2.4.2 电致发光器件的亮度和频率的关系 |
| 2.4.3 电致发光的效率 |
| 2.4.4 薄膜电致发光器件的老化 |
| 2.5 薄膜电致发光的材料 |
| 2.5.1 红、绿色发光材料 |
| 2.5.2 蓝色发光材料 |
| 2.5.3 白色发光材料 |
| 2.5.4 单色、多色 TFEL显示 |
| 2.6 绝缘介质的一般要求 |
| 2.7 陶瓷厚膜的基本性质 |
| 第三章 薄膜、厚膜器件的制备 |
| 3.1 发光材料的制备 |
| 3.2 薄膜、厚膜器件的制备 |
| 第四章 实验结果及分析 |
| 4.1 厚膜绝缘层对发光器件的影响 |
| 4.1.1 基板和烧结条件的选择 |
| 4.1.2 烧结次数对电致发光器件亮度的影响 |
| 4.1.3 不同厚度的陶瓷厚膜对电致发光器件效率的影响 |
| 4.2 发光亮度与发光层厚度的关系 |
| 4.3 ZNS：MN薄膜、厚膜电致发光的主要光电特性 |
| 4.3.1 ZnS：Mn的发光光谱 |
| 4.3.2 发光亮度与电压的关系（B-V曲线） |
| 4.3.3 发光亮度与频率的关系 |
| 4.3.4 发光效率与电压的关系 |
| 4.3.5 TDEL器件衰减特性 |
| 第五章 电致发光的应用 |
| 5.1 低亮度节能光源的应用 |
| 5.2 特种平面光源的应用 |
| 第六章 结论和展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间发表的论文 |
| 攻读硕士期间参与的科研项目 |
| 致谢 |
（8）ZnS荧光薄膜的脉冲激光沉积及其特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 引言 |
| 1.1 平板显示器件(FPD)发展简介 |
| 1.2 场发射平板显示(FED)简介 |
| 1.3 场发射平板显示器件对荧光层的技术要求及存在的问题 |
| 1.4 本论文的选题思想及主要内容 |
| 第二章 理论基础 |
| 2.1 ZnS的性质及其应用 |
| 2.1.1 ZnS的晶体结构 |
| 2.1.2 ZnS的性质与应用 |
| 2.2 ZnS荧光薄膜的制备方法 |
| 2.3 ZnS荧光薄膜的发光机理 |
| 2.3.1 光电显示材料 |
| 2.3.2 发光的基本原理 |
| 2.3.3 阴极射线发光过程 |
| 2.3.4 ZnS薄膜的发光机理 |
| 2.4 ZnS薄膜的应用前景 |
| 第三章 射频辅助脉冲激光沉积法 |
| 3.1 脉冲激光沉积(PLD)法 |
| 3.1.1 脉冲激光沉积的基本原理 |
| 3.1.2 脉冲激光沉积的特点 |
| 3.1.3 脉冲激光沉积的工艺条件对ZnS薄膜的影响 |
| 3.2 射频辅助脉冲激光沉积镀膜 |
| 3.3 射频辅助脉冲激光沉积实验装置 |
| 第四章 射频辅助脉冲激光沉积制备ZnS薄膜 |
| 4.1 实验过程 |
| 4.2 实验测试方法 |
| 4.2.1 结构分析 |
| 4.2.2 形貌分析 |
| 4.2.3 发光特性测试 |
| 4.3 ZnS靶材的各种特性测试 |
| 4.4 实验结果及分析 |
| 4.4.1 脉冲激光能量密度对制备ZnS薄膜的影响 |
| 4.4.2 环境气压对制备ZnS薄膜的影响 |
| 4.4.3 射频辅助对制备ZnS薄膜的影响 |
| 4.4.4 沉积温度对制备ZnS薄膜的影响 |
| 4.4.5 基体-靶距对制备ZnS薄膜的影响 |
| 4.4.6 激光重复频率对制备ZnS薄膜的影响 |
| 4.4.7 退火处理对制备ZnS薄膜的影响 |
| 4.4.8 实验条件参数优化 |
| 4.5 ZnS薄膜的发光特性分析 |
| 4.5.1 光致发光特性分析 |
| 4.5.2 阴极射线发光特性分析 |
| 4.6 ZnO/ZnS双层薄膜的各种特性分析 |
| 4.6.1 ZnO/ZnS双层薄膜的制备 |
| 4.6.2 各种特性分析 |
| 第五章 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录 |
（9）粉末厚膜（交）直流电致发光（DCEL）平板显示器（论文提纲范文）
| 1 引 言 |
| 2 DCEL荧光粉 |
| 2.1 基质——ZnS原料 |
| 2.2 ZnS∶Mn的制备 |
| 2.3 包铜工艺 |
| 2.4 传统包铜工艺的局限性和改进 |
| 2.5 包铜ZnS∶Mn, Cu的自然老化 |
| 3 DCEL器件 |
| 3.1 器件结构 |
| 3.2 涂覆介质 |
| 3.3 形成工艺及其局限性和改进 |
| 3.4 防潮密封 |
| 3.5 击穿 |
| 3.6 自然老化 |
| 3.7 半亮度寿命和使用寿命 |
| 3.8 在交流电压激发下的发光 (ACEL) 特性 |
| 3.9 交流电压工作条件下的亮度补偿 |
| 4 DCEL器件中的几个物理问题 |
| 4.1 DCEL器件的激发条件[2, 5] |
| 4.2 形成过程的物理图像和机制[6] |
| 4.3 DCEL器件的亮度衰减和老化[6] |
| 4.4 发光区的成因和随机性[7] |
| 4.4.1 发光区的随机性 |
| 4.4.2 发光区的成因 |
| 4.4.3 ITO-CuxS接触 |
| 4.5 DCEL器件的ACEL现象[2, 8～13] |
| 4.5.1 DCEL器件在交流电压下的负载特性 |
| 4.5.2 DCEL器件在交流条件下的电场分布 |
| 4.5.3 DCEL器件在交流条件下的Cu+迁移和状态趋同性 |
| 4.5.4 DCEL器件在直流和交流条件下光电特性的关系 |
| 4.5.5 DCEL器件在交流条件下的频率特性 |
| 5 应 用 |
（10）粉末直流电致发光平板显示器（论文提纲范文）
| 引言 |
| 1 简单历史和现状 |
| 2 DCEL器件的结构 |
| 3 DCEL显示技术的特点和器件的光电特性 |
| 4 DCEL平板显示器的应用 |
四、粉末厚膜(交)直流电致发光(DCEL)平板显示器（论文参考文献）
- [1]钛酸铜钙作为电致发光器件绝缘层的研究[D]. 牟鹏程. 南京大学, 2014(05)
- [2]掺杂ZnO薄膜的电致发光的探索[D]. 刘雅丽. 天津大学, 2013(01)
- [3]一维氧化锌纳米材料的制备及其电致发光器件的研究[D]. 张灵翠. 天津大学, 2012(05)
- [4]ZnO薄膜电致发光的探索[D]. 房东玉. 天津大学, 2010(02)
- [5]无机EL显示模块控制电路设计[D]. 于涛. 电子科技大学, 2008(04)
- [6]有机电致发光驱动电路的研究[D]. 杨吉. 上海交通大学, 2008(06)
- [7]薄膜、厚膜电致发光器件的研究[D]. 管世振. 天津理工大学, 2007(03)
- [8]ZnS荧光薄膜的脉冲激光沉积及其特性研究[D]. 纠智先. 郑州大学, 2005(01)
- [9]粉末厚膜（交）直流电致发光（DCEL）平板显示器[J]. 周连祥. 发光学报, 2002(06)
- [10]粉末直流电致发光平板显示器[J]. 周连祥. 应用光学, 2000(01)